功能说明
设备擦除
为了明确自己的编程CON-的所有位置
帐篷，必须将设备暴露于紫外光
源。的15瓦秒/平方厘米的剂量
2
需要
彻底删除设备。这个剂量可以转播
通过暴露tained到紫外线灯波长
2537 Å - 12000微瓦/平方厘米的强度
2
为15 〜20的
分钟。该设备应在与有关直接
从源1英寸，并且所有的过滤器应该重新
从擦除前的UV光源移动。
请注意，所有的紫外线擦除设备将光擦除
源其波长小于4000埃，这样的
如日光灯和阳光。虽然删除
过程发生在一个更长的时间段，前
曝光至任何光源应当防止对
最大的系统可靠性。简单地覆盖包
窗用不透明的标签或物质。
V
PP
= 12.75 V
±
0.25 V和PGM ＃低， OE ＃
高会编程的特定设备。一个高级别
CE＃输入禁止被亲的其他设备
编程。
程序校验
一个验证应在执行编程
位，以确定他们是正确编程。
验证应与OE ＃和CE ＃进行，在
V
IL
， PGM ＃在V
IH
和V
PP
12.5 V和13.0 V之间
自选模式
自选模式提供了制造商和脱离
通过DQ0-识别码识别副
DQ7 。这种模式的主要目的是用于编程
设备自动匹配的设备是亲
编程与其相应的编程algo-
rithm 。该模式的功能，在25℃
±
5°C
亲时所需的环境温度范围
编程器件。
以激活此模式中，编程设备
必须强制V
H
在地址线A9 。两个标志字节
然后可从该装置的输出通过瓶酒测序
从V岭大战地址线A0
IL
到V
IH
（也就是说，改变
从00h地址为01H ） 。所有其他地址线
必须在V举行
IL
中自动选择模式。
字节0 （ A0 = V
IL
）表示的制造商代码，
和字节1 （ A0 = V
IH
） ，该设备标识符的代码。两
代码有奇校验，以DQ7作为奇偶校验位。
器件编程
交货时，或之后的每个擦除，该设备具有
所有位的“一” ，或HIGH的状态。 “0”是
通过编程亲加载到设备
cedure 。
该器件进入编程模式时12.75
V
±
0.25 V施加于V
PP
销，和CE＃和
PGM ＃是在V
IL
和OE ＃是V
IH
.
对于编程，编程数据是AP-
合股8位并行数据引脚。
中的编程部分的flowchar吨
EPROM产品数据手册（第5 ，图5-1 ）
显示AMD的Flashrite算法。该Flashrite algo-
rithm使用100微秒缩短编程时间亲
编程脉冲，并通过给每个地址只能作为
多脉冲可靠程序中的数据。在每个
脉冲被施加到一个给定的地址，该数据在这AD-
礼服验证。如果数据不验证，附加
脉冲列，直到它验证或最大脉冲
允许达到。这个过程被重复，而SE-
quencing通过该装置的每一个地址。这部分
该算法是做在V
CC
= 6.25 V ，以确保
每个EPROM位编程为具有足够高的
阈值电压。最后的地址完成后，
整个EPROM存储在V验证
CC
= V
PP
=
5.25 V.
请参考EPROM产品数据第5
书进行额外的编程信息和光谱
ifications 。
读取模式
要在设备的输出获得的数据，芯片使能（ CE ＃ ）
和输出使能（ OE ＃ ）必须被驱动为低电平。 CE＃ CON-
指令对电源装置和通常用于SE-
择设备。 OE＃可使设备输出数据，
独立的设备选择。地址必须是
稳定至少吨
加
–t
OE
。指的是交换
该时序图的波形部分。
待机模式
该器件进入CMOS待机模式时， CE＃
是V
CC
±
0.3 V最大V
CC
电流减小到
100 μA 。该器件进入TTL待机模式
当CE＃为V
IH
。最大V
CC
电流减小
1.0毫安。当在任一待机模式下，该设备
其放置在输出高阻抗状态， indepen-
凹陷的OE ＃输入。
输出或- Tieing
为了适应多种存储连接，一
两线控制功能提供了：
s
低内存功耗，
s
保证不会发生输出总线争用。
禁止程序
不同的数据编程到标准杆多台设备
等位基因是很容易实现的。除了CE＃ ，都喜欢IN-
设备的看跌期权可以是常见的。一个TTL低级别
编程脉冲应用到一台设备的CE ＃输入，
Am27C020
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AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
