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AM27C010 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM27C010
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内容描述: 1兆位( 128千×8位) CMOS EPROM [1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS EPROM]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器
文件页数/大小: 13 页 / 168 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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最终科幻
Am27C010
1兆位( 128千×8位) CMOS EPROM
特色鲜明
s
快速访问时间
- 速度选择快45纳秒
s
低功耗
- 20 μA典型的CMOS待机电流
s
JEDEC批准的引脚排列
s
采用+5 V单电源
s
±10%
电源公差标准
s
100 % Flashrite ™编程
- 16秒典型的编程时间
s
闩锁保护的100毫安-1 V至
V
CC
+ 1 V
s
高噪声抗扰度
s
丰富的功能,简单的接口
- CMOS和TTL输入/输出的兼容性
- 两线控制功能
s
标准的28引脚DIP , PDIP和​​32引脚PLCC
套餐
概述
该Am27C010是1兆位,紫外线可擦亲
可编程只读存储器。它是作为128K
每字8位的话,采用单+ 5V
供应,有一个静态待机模式,并具有快速
单一地址位置编程。产品是
可在窗口陶瓷DIP封装,以及
塑料一次性可编程( OTP)和PDIP
PLCC封装。
数据可以在小于45纳秒典型地访问, AL-
降脂高性能微处理器操作
没有任何等待状态。该器件提供独立的
输出使能( OE #)和芯片使能( CE # )控制,
从而消除了总线争用的多总线微
处理器系统。
AMD的CMOS工艺技术提供了高
速度快,低功耗和高抗噪性。典型
功耗仅为100毫瓦在主动模式下,
和100微瓦的待机模式。
所有的信号是TTL电平,包括编程显
良。位的位置可以单独编程,在
块,或者是随机的。该器件支持AMD的
Flashrite规划算法( 100微秒脉冲) ,再
质保的义务在16秒的典型编程时间。
框图
V
CC
V
SS
V
PP
OE #
CE#
PGM #
OUTPUT ENABLE
芯片使能
PROG逻辑
Y
解码器
A0–A16
地址
输入
产量
缓冲器
数据输出
DQ0–DQ7
Y
X
解码器
1,048,576
位单元
矩阵
10205G-1
出版#
10205
启:
G
Amendment/0
发行日期:
1998年5月