最终科幻
Am27C040
4兆位（ 512K的×8位） CMOS EPROM
特色鲜明
s
快速访问时间
- 提供速度选择快90纳秒
s
低功耗
- <10 μA典型的CMOS待机电流
s
JEDEC批准的引脚排列
- 升级为1兆和2兆比特的EPROM中的插件
- 从28引脚JEDEC的EPROM轻松升级
s
采用+5 V单电源
s
±10%
电源公差标准
s
100 ％ Flashrite ™编程
- 1分钟，典型的编程时间
s
闩锁保护的100毫安-1 V至
V
CC
+ 1 V
s
高噪声抗扰度
s
紧凑的32引脚DIP ， PDIP ， PLCC封装
概述
该Am27C040是4兆的紫外线可擦除亲
可编程只读存储器。它是作为512K
字节，采用单+ 5V电源，具有静态
待机模式，并具有快速的单一地址某些地区可能
化编程。该设备是在窗口可用
陶瓷DIP封装和塑料一次性编程
可燃的（ OTP）的包。
数据可以在小于90纳秒典型地访问， AL-
降脂高性能微处理器操作
没有任何等待状态。该器件提供独立的
输出使能（ OE ＃）和芯片使能（ CE ＃ ）控制，
从而消除了总线争用的多总线微
处理器系统。
AMD的CMOS工艺技术提供了高
速度快，低功耗和高抗噪性。典型
功耗仅为100毫瓦在主动模式下，
和50 μW处于待机模式。
所有的信号是TTL电平，包括编程显
良。位的位置可以单独编程，在
块，或者是随机的。该器件支持AMD的
Flashrite规划算法（ 100微秒脉冲）重
质保的义务在1分钟内的典型编程时间。
框图
V
CC
V
SS
V
PP
OE ＃
OUTPUT ENABLE
芯片使能
和
PROG逻辑
Y
解码器
A0–A18
地址
输入
数据输出
DQ0–DQ7
产量
缓冲器
CE ＃ / PGM ＃
Y
门
X
解码器
4,194,304-Bit
细胞矩阵
14971G-1
出版＃
14971
启：
G
Amendment/0
发行日期：
1998年5月
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
