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AM27C512 参数 Datasheet PDF下载

AM27C512图片预览
型号: AM27C512
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内容描述: 512千比特(一个64 K ×8位) CMOS EPROM [512 Kilobit (64 K x 8-Bit) CMOS EPROM]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器
文件页数/大小: 12 页 / 162 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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AC特性
参数符号
JEDEC
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
标准
t
t
CE
t
OE
t
DF
(注2 )
描述
地址输出延迟
芯片使能到输出延迟
测试设置
CE # ,
OE # = V
IL
OE # = V
IL
最大
最大
最大
最大
-55
55
55
35
25
-70
70
70
40
25
Am27C512
-90
90
90
40
25
-120 -150 -200 -255
120
120
50
30
150
150
50
30
200
200
75
30
250
250
75
30
单位
ns
ns
ns
ns
输出使能到输出延迟CE# = V
IL
芯片使能高或输出
使能高到输出高Z,
以先到为准科幻RST
输出保持时间从
地址, CE #或OE # ,
以先到为准科幻RST
t
AXQX
t
OH
0
0
0
0
0
0
0
ns
注意事项:
请不要删除该设备(或将其插入)插座或电路板有V
PP
或V
CC
应用。
注意事项:
1. V
CC
必须同时或V前申请
PP
,并同时或V后取出
PP
.
2.这个参数进行采样,而不是100 %测试。
3.开关特性是在操作范围内,除非另有说明。
4.参见图3和表1的测试规范。
开关波形
2.4
地址
0.45
CE#
t
CE
OE #
t
OE
高Z
t
(注1 )
t
OH
有效的输出
高Z
08140I-9
2.0
0.8
地址是合法的
2.0
0.8
t
DF
(注2 )
产量
注意事项:
1. OE #可能会延迟到t
– t
OE
的地址而对吨冲击下降沿之后
.
2. t
DF
从OE #或CE #指定,以先到为准。
封装电容
参数
描述
输入电容
输出电容
CDV028
测试条件
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
典型值
10
10
最大
12
13
PL 032
典型值
9
9
最大
12
12
PD 028
典型值
6
6
最大
10
10
单位
pF
pF
参数符号
C
IN
C
OUT
注意事项:
1.该参数仅采样,而不是100 %测试。
2. T
A
= +25
°
C,F = 1兆赫。
10
Am27C512