最终科幻
Am28F020A
2兆位（ 256千×8位）
CMOS 12.0伏，整体擦除闪存与嵌入式算法
特色鲜明
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
CMOS低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 最大100 μA待机电流
- 没有数据保持功耗
s
兼容JEDEC标准的字节宽
32引脚引脚EPROM
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
s
100,000次写/擦除周期最短
s
写入和擦除电压12.0 V
±5%
s
闩锁的保护为100 mA
-1 V到V
CC
+1 V
s
嵌入式擦除电气批量芯片擦除
- 五秒钟的典型芯片擦除，包括
预编程
s
嵌入式程序
- 14 μs的典型字节的程序，包括超时
- 4秒典型芯片项目
s
命令寄存器架构
微处理器/微控制器兼容
写接口
s
芯片上地址和数据锁存器
s
先进的CMOS闪存技术
- 低成本的单晶体管存储单元
s
嵌入式算法完全自定时
写/擦除操作
，提供嵌入式Algo-这个家庭内部的设备
rithms使用同一命令集。此报价
设计者能够灵活地保持相同的设备脚踏
印刷和命令集，在之间的任何密度
256千位和2兆比特。
AMD的闪存技术，可靠地保存存储器CON-
即使经过10万次擦除和编程帐篷。
AMD的存储单元的设计优化了擦除和
编程机制。此外，该组合
先进的隧道氧化处理，低灰
内部电场的擦除和编程能操作
ations产生可靠的自行车。该Am28F020A用途
一个12.0 ±5 ％的V
PP
提供输入来执行擦除和
编程功能。
最高程度的闩锁保护的实现
与AMD专有的非外延工艺。闭锁亲
tection提供了一种用于压力高达100毫安
地址和数据引脚从-1至V
CC
+1 V.
AMD的闪存技术，结合多年的EPROM
和EEPROM经验，以产生最高水平的
的质量，可靠性和成本效益。该
Am28F020A同时电擦除所有的位
使用福勒- Nordheim隧穿。该字节
在一次编程一个字节使用EPROM
热电子注入编程机制。
概述
该Am28F020A是2兆位闪存奥尔加
认列256 KB的每个8位。 AMD的闪存存储器
法制前提提供最具成本效益和可靠的读取/
写非易失性随机存取MEMOR年。该
Am28F020A封装在32引脚PDIP ，PLCC以及
TSOP版本。它被设计成可重新编程和
删除在系统或标准EPROM编程器。
从出厂时的Am28F020A被删除
该工厂。
该标准Am28F020A提供了存取时间
快70纳秒，允许高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线conten-
化，该设备具有单独的芯片使能（CE
#
）和
输出使能（ OE
#
）控制。
AMD的闪存EPROM增强功能
在电路中的电擦除和编程。该
Am28F020A使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中，在保持
最大的EPROM的兼容性。
吨他一平方米8F0 20A ISC OMP ATI BL EWI日前作AM ð
Am28F256A ， Am28F512A和Am28F010A闪光
回忆。在Am28Fxxx系列后续的所有设备
JEDEC的32引脚引脚排列标准。此外，所有的
出版＃
17502
启：
D
Amendment/+1
发行日期：
1998年1月
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
