V
CC
＆ LT ; V
LKO
（见DC特性部分
电压） 。当V
CC
＆ LT ; V
LKO
中，命令寄存器是
禁用所有内部程序/擦除电路
禁止，并且该装置复位到读模式。该
设备将忽略所有的写操作，直到V
CC
＆ GT ; V
LKO
。用户
必须确保控制引脚处于正确的逻辑
状态时， V
CC
＆ GT ; V
LKO
防止uninitentional写入。
逻辑INHIBIT
写作是由持有OE ＃任何一个= V抑制
IL
，CE ＃
= V
IH
或WE ＃ = V
IH
。要启动一个写周期CE ＃和
WE＃必须是逻辑零而OE＃是逻辑1 。
上电时禁止写入
上电设备与WE＃ = CE ＃ = V
IL
和
OE ＃ = V
IH
不接受的命令上涨
的WE＃边沿。内部状态机是automat-
ically复位到上电时读取模式。
写脉冲“毛刺”保护
小于10纳秒（典型值）上的OE ＃噪声脉冲， CE＃
或WE＃不会启动写周期。
功能说明
的用户模式说明
表1中。
手术
读
待机
输出禁用
只读
自动选择制造商
码（注2）
自动选择设备代码
（注2 ）
读
待机（注5）
读/写
输出禁用
写
Am28F020设备总线操作
CE
#
(E
#
)
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
PP
OE
#
(G
#
）我们
#
(W
#
） （注1 ）
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
V
IH
V
IH
X
X
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
X
V
IH
V
IL
V
PPL
V
PPL
V
PPL
V
PPL
V
PPL
V
PPH
V
PPH
V
PPH
V
PPH
A0
A0
X
X
V
IL
V
IH
A0
X
X
A0
A9
A9
X
X
V
ID
（注3）
V
ID
（注3）
A9
X
X
A9
I / O
D
OUT
高Z
高Z
CODE
(01h)
CODE
(2Ah)
D
OUT
（注4 ）
高Z
高Z
D
IN
（注6 ）
图例：
X =无关，这里不关心或者是V
IL
或V
IH
的水平。 V
PPL
= V
PP
≤
V
CC
+ 2 V.见DC特性的电压等级
V的
PPH
。 0 V <一< V
CC
+ 2V， （正常TTL或CMOS输入电平，其中n = 0或9）。
注意事项：
1. V
PPL
可以接地，用一个电阻连接到地面，或< V
CC
+ 2.0 V. V
PPH
被编程电压指定为
该设备。参考直流特性。当V
PP
= V
PPL
，存储内容可以读，但不能写或擦除。
2.制造商和设备代码，也可以通过命令寄存器写入顺序访问。参见表2 。
3. 11.5 < V
ID
< 13.0 V.最小V
ID
上升时间和下降时间（在0和V
ID
电压）为500纳秒。
4，读操作与V
PP
= V
PPH
可以访问数组中的数据或自动选择编码。
5. V
PP
在高电压，待机电流为I
CC
+ I
PP
（ STANDBY ） 。
6.请参阅表3为有效D
IN
在写操作。
7.所有输入都是无所谓，除非另有说明，这里不关心或者是V
IL
或V
IH
的水平。在自动选择模式下，所有
除A9和A0地址必须在V举行
IL
.
8.如果V
CC
≤
1.0伏，V之间的电压差
PP
和V
CC
应不超过10.0伏。另外， Am28F010具有V
PP
上升时间和下降的500 ns的最短时间规范。
8
Am28F020
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
