最终科幻
Am28F256
256千位（是32K ×8位）
CMOS 12.0伏，整体擦除闪存
特色鲜明
s
高性能
- 最大70 ns访问时间
s
CMOS低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 最大100 μA待机电流
- 没有数据保持功耗
s
兼容JEDEC标准的字节宽
32引脚引脚EPROM
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
s
万写/擦除周期最低
s
写入和擦除电压12.0 V
±5%
s
闩锁保护，为100 mA
从-1 V到V
CC
+1 V
s
Flasherase电气批量芯片擦除
- 一个典型的第二个芯片擦除
s
Flashrite编程
- 10 μs的典型字节的程序
- 0.5秒典型的芯片方案
s
命令寄存器架构
微处理器/微控制器兼容
写接口
s
芯片上地址和数据锁存器
s
先进的CMOS闪存技术
- 低成本的单晶体管存储单元
s
自动写入/擦除脉冲停止计时器
概述
该Am28F256被组织成一个256千闪存
32 KB的每个8位。 AMD的闪存报价
最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该Am28F256是
封装采用32引脚PDIP PLCC ， TSOP和版本。它
,
被设计为进行重新编程和擦除的系统内
或者在标准EPROM编程器。该Am28F256
从工厂发货时被擦除。
该标准Am28F256提供存取时间快
70 ns的高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
该Am28F256有独立的芯片使能（ CE
#
）和
输出使能（ OE
#
）控制。
AMD的闪存EPROM增强功能
在电路中的电擦除和编程。该
Am28F256使用命令寄存器来管理这个
功能性，同时保持标准的JEDEC
闪存标准的32引脚引脚排列。命令寄存器
允许100％的TTL电平的控制输入和固定
擦除和编程过程中的电源电平。
AMD的闪存技术能可靠地保存MEMOR ÿ
即使经过万次擦除和编程的内容。
出版＃
11560
启：
G
Amendment/+2
发行日期：
1998年1月
AMD的存储单元的设计优化了擦除和
编程机制。此外，该组合
先进的隧道氧化处理，低灰
内部电场的擦除和编程
操作产生可靠的自行车。该Am28F256
采用了12.0V
±
5% V
PP
高电压输入来执行
在Flasherase和Flashrite算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与AMD的proprietar Ÿ非外延工艺。闭锁
提供了一种用于压力高达100毫安的保护
对地址和数据引脚从-1至V
CC
+1 V.
该Am28F256是用10微秒字节可编程
编程脉冲按照AMD的
Flashrite规划算法。典型的房
在Am28F256温度编程时间是
半秒。整个芯片采用批量删除
10毫秒根据AMD的Flasherase擦除脉冲
alrogithm 。典型擦除在室温下是
实现在小于一秒。该窗口
封装，所需的EPROM中的15-20分钟
用紫外光擦除被消除。
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
