最终科幻
Am28F512
512千比特（一个64 K ×8位）
CMOS 12.0伏，整体擦除闪存
特色鲜明
s
高性能
- 最大70 ns访问时间
s
CMOS低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 最大100 μA待机电流
- 没有数据保持功耗
s
兼容JEDEC标准的字节宽
32引脚引脚EPROM
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
s
万写/擦除周期最低
s
写入和擦除电压12.0 V
±5%
s
闩锁保护，为100 mA
从-1 V到V
CC
+1 V
s
Flasherase电气批量芯片擦除
- 一个典型的第二个芯片擦除
s
Flashrite编程
- 10 μs的典型字节的程序
- 一个典型的第二个芯片方案
s
命令寄存器架构
微处理器/微控制器兼容
写接口
s
芯片上地址和数据锁存器
s
先进的CMOS闪存技术
- 低成本的单晶体管存储单元
s
自动写入/擦除脉冲停止计时器
概述
该Am28F512是512千比特的闪存奥尔加
认列64个字节，每个字节8位。 AMD的闪存存储器
法制前提提供最具成本效益和可靠的读取/
写非易失性随机存取MEMOR年。该
Am28F512封装在32引脚PDIP ，PLCC以及
TSOP版本。它被设计成可重新编程
并删除在系统或标准EPROM亲
程序员。出厂时的Am28F512被删除
从工厂。
该标准Am28F512提供存取时间快
70 ns的高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
该Am28F512有独立的芯片使能（ CE ＃ ）和
输出使能（ OE ＃ ）控制。
AMD的闪存EPROM增强功能
在电路中的电擦除和编程。该
Am28F512使用命令寄存器来管理这个
功能性，同时保持标准的JEDEC
闪存标准的32引脚引脚排列。命令寄存器
允许100％的TTL电平的控制输入和固定
擦除和编程过程中的电源电平。
AMD的闪存技术，可靠地保存存储器CON-
即使经过万次擦除和编程帐篷。该
AMD存储单元的设计优化了擦除和亲
出版＃
11561
启：
G
Amendment/+2
发行日期：
1998年1月
编程机制。的，此外，该组合
先进的隧道氧化处理，且内部
电场的擦除和编程操作
生产可靠的自行车。该Am28F512使用
12.0 V ± 5% V
PP
高电压输入来执行
Flasherase和Flashrite算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与AMD专有的非外延工艺。闭锁亲
tection提供了一种用于压力高达100毫安AD-
礼服和数据引脚从-1 V到V
CC
+1 V.
该Am28F512是用10毫秒字节可编程亲
按照AMD的Flashrite编程脉冲
规划算法。典型的室温
在Am28F512的编程时间为1秒。
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据AMD的Flasherase算法。典型era-
确认在室温下完成，在不到
一秒钟。加窗的包和15-20
使用紫外线所需EPROM擦除分钟
光被消除了。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机，它
控制擦除和编程电路。中
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
