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AM29DL400BB-70EI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29DL400BB-70EI
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内容描述: 4兆位( 512K的×8位/ 256千×16位) CMOS 3.0伏只,同时操作闪存 [4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 42 页 / 502 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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初步
Am29DL400B
4兆位( 512K的×8位/ 256千×16位)
CMOS 3.0伏只,同时操作闪存
特色鲜明
s
同时读/写操作
- 主机系统可以进行编程或擦除在一家银行,
然后立即和同时从读
其他银行
•读取和写入操作之间的零延迟
- 同时读 - 擦除
- 同时读程序
s
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取和写入操作
电池供电应用
s
在0.35微米制程技术制造的
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
低电流消耗(典型值
在5 MHz )
- 7毫安有效的读电流
- 21毫安主动读,而节目或阅读,在─
擦除电流
- 17毫安活动的程序,而擦除悬
当前
- 200 nA的待机模式
- 200 nA的自动睡眠模式
- 标准的T
CE
芯片使能访问时间适用于
从自动睡眠模式,以积极的转变
模式
s
灵活的部门架构
- 两个16千字,两个8千字,四4千字,并
在Word模式下6个32千字行业
- 两个32字节, 2字节16 ,四个8字节,并
在字节模式6 64 KB的行业
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
s
解锁绕道程序命令
•降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
s
扇区保护
- 硬件锁定的扇区,以防止方法
在任何编程或擦除操作
扇形
- 扇区可以被锁定在系统或经由
编程设备
- 临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
预先计划和擦除扇区或整个芯片
- 嵌入式程序算法自动
在指定地址的程序和数据验证
s
最低百万编程/擦除周期
每个扇区保证
s
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
s
就绪/忙#输出( RY / BY # )
- 硬件检测方法的程序或
擦除周期结束
s
擦除暂停/删除恢复
- 暂停或重新开始擦除扇区,使
阅读和编程其他部门
- 无需暂停,如果部门是在其他银行
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件设备重置为方法
读阵列数据
出版#
21606
启:
C
Amendment/0
发行日期:
1998年4月