D A T A
中文ê （E T）
设备总线操作
本节介绍的要求和使用
设备总线操作，这是通过启动
内部命令寄存器。命令寄存器
本身不占用任何可寻址存储器地址
化。该寄存器是由存储在锁存器的
命令，随着地址和数据的信息
化需要执行的命令。的内容
寄存器作为输入的内部状态
机。状态机输出决定了功能
化设备。相应的设备总线
操作表列出了输入和控制水平
需要，将得到的输出。下面的子
部分描述了这些操作的进一步
细节。
表1中。
手术
读
写
CMOS待机
TTL待机
输出禁用
复位（上Am29F002NB N / A ）
临时机构撤消
（见注）
Am29F002B / Am29F002NB设备总线操作
CE＃
L
L
V
CC
± 0.5 V
H
L
X
X
OE ＃
L
H
X
X
H
X
X
WE＃
H
L
X
X
H
X
X
RESET＃
（ N / A Am29F002NB ）
H
H
H
H
H
L
V
ID
A0–A17
A
IN
A
IN
X
X
X
X
X
DQ0–DQ7
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
X
图例：
L =逻辑低= VIL ，H =逻辑高电平= VIH ， VID = 12.0 ± 0.5 V ， X =无所谓， DIN =数据输入， DOUT =数据输出，A
IN
=地址
注意：
查看类别组保护和临时机构撤消了部分获取更多信息。此功能需要
因此， RESET ＃引脚和不可用的Am29F002NB设备上。
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据，系统必须
驱动CE ＃和OE ＃引脚V
IL
。 CE＃为电源
控制和选择器件。 OE＃为输出
控制与门阵列的数据到输出引脚。 WE＃
应保持在V
IH
.
内部状态机设置为读取阵列数据
当设备加电时，或者经过一个硬件复位。这
确保了存储器的无杂散变更
电源转换过程中出现的内容。没有
命令是必要的，该模式以获得阵列
数据。标准的微处理器读周期的断言
该器件地址输入产生的有效地址
上的设备的数据输出有效数据。该装置
保持启用，直到命令读取访问
寄存器的内容被改变。
见“读阵列数据”的详细信息。参考
在AC读操作表计时规范
tions和为读操作时序图
时序波形。我
CC1
在直流特性
表表示有功电流规范
读阵列数据。
的存储器扇区）时，系统必须驱动WE＃和
CE＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
.
擦除操作可以擦除一个扇区，多节
器，或整个设备。扇区地址表
表示每个扇区占用的地址空间。
A“扇区地址”由所需的地址位
唯一地选择一个扇区。看到命令Defini-
芯片，或悬浮/恢复的擦除操作。
系统后写自选命令
序，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以读取自动选择从码
内部寄存器（它是分开的存储器
阵列）上DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用
在这种模式下。参见“自选模式”和
信息。
I
CC2
在DC特性表代表
有功电流规格为写入模式。在“AC
特性“部分包含时序规格
表和时序图，用于写操作。
编程和擦除操作状态
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（其
包括编程数据到设备和擦除
在一个擦除或写入操作时，系统可
通过读取状态检查操作的状态
位在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序和我
CC
读取规格适用。请参阅“写操作
21527D5 2006年11月1日
8
Am29F002B/Am29F002NB
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
