欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AM29F010-70EC 参数 Datasheet PDF下载

AM29F010-70EC图片预览
型号: AM29F010-70EC
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 1兆位( 128千×8位) CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体 [1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 31 页 / 349 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
 浏览型号AM29F010-70EC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AM29F010-70EC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AM29F010-70EC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AM29F010-70EC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AM29F010-70EC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AM29F010-70EC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AM29F010-70EC的Datasheet PDF文件第11页浏览型号AM29F010-70EC的Datasheet PDF文件第12页  
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时,系统可
通过读取状态检查操作的状态
位在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序和我
CC
读取规格适用。请参阅“写操作
状态“的详细信息,以及每个AC字符
在相应的数据表计时开创性意义节
图。
该器件进入CMOS待机模式时,
CE#引脚保持在V
CC
±
为0.5V (注意,这是一个更
限制电压范围比V
IH
) ,器件进入
当CE#保持在V的TTL待机模式
IH
。该
设备要求的标准访问时间(t
CE
)前
它已经准备好读取数据。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明,该器件消耗的有功电流,直到
操作完成。
I
CC3
在DC特性表代表
待机电流规格。
待机模式
当系统没有读取或写入设备,
它可以将器件置于待机模式。在这
模式下,电流消耗大大减少,并且
输出被置于高阻抗状态,不知疲倦
下垂的OE #输入。
输出禁止模式
当OE #输入为V
IH
从设备输出是
禁用。输出引脚被放置在高阻抗
ANCE状态。
表2中。
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
A16
0
0
0
0
1
1
1
1
Am29F010扇区地址表
A15
0
0
1
1
0
0
1
1
A14
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000h-03FFFh
04000h-07FFFh
08000h-0BFFFh
0C000h-0FFFFh
10000h-13FFFh
14000h-17FFFh
18000h-1BFFFh
1C000h-1FFFFh
自选模式
自选模式提供了制造商和脱离
副识别和部门保护验证,
通过DQ7 - DQ0识别码输出。这
模式主要用于编程设备
自动匹配的设备与被编程
其相应的规划算法。不过,
自动选择的代码,也可以在系统访问
通过命令寄存器。
当使用编程设备中,自动选择
模式需要V
ID
( 11.5 V至12.5 V)地址引脚
A9 。地址引脚A6, A1和A0必须如所示
自选代码(高压法)表。在AD-
DITION ,验证扇区保护时,该部门AD-
礼服必须出现在最适当的顺序
地址位。参考相应的扇区AD-
着装表。该命令定义表所示
剩下的地址位是不在乎。当所有
必要位已被设置为需要的编程
那么明设备可以读取相应的
识别代码DQ7 - DQ0 。
访问自动选择代码在系统中,主机
系统可以发出通过自选命令
命令寄存器,如图所示,在命令Defini-
系统蒸发散表。此方法不需要V
ID
。看
“命令定义”有关使用autose-细节
择模式。
8
Am29F010