AM29F040-120PC 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AM29F040-120PC
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内容描述：	4兆位（ 524,288 ×8位） CMOS 5.0伏只，扇区擦除闪存 [4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory]
分类和应用：	闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小：	33 页 / 418 K
品牌：	AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]

CE的上升沿或WE （事件发生不论网络连接RST ）

开始编程。在执行嵌入

程序算法命令序列系统

不

需要提供进一步的控制或定时。该

设备会自动提供足够的内部

生成的程序脉冲和验证程序

电池余量。

在自动编程操作完成

当上DQ7数据相当于写入数据

该位（见写操作状态一节），在该

时间的装置返回到读模式和管理者

礼服不再锁定。因此，该装置

需要一个有效的地址给设备提供

通过该系统中的时间这个特定实例。因此，

数据轮询必须在存储器位置进行

正被编程。

在此期间写入到芯片的任何命令

将被忽略。

编程允许以任何顺序和跨

扇区边界。注意的是，一个数据“0”不能

程序返回到“1” 。尝试这样做可能

导致设备超过编程时间限制

（ DQ5 = 1），或导致表面上的成功，根据

该数据轮询算法，但是从复位读/写

模式将显示该数据仍然是“ 0”。只有清除

操作可以转换的“0”到“1” 。

图1说明了嵌入式编程算法

采用典型的命令字符串和总线操作。

扇区擦除

扇区擦除是六总线周期的操作。有两种

“解锁”写周期。这些后面是写

“设置”命令。两个“解锁”写周期

再其次是扇区擦除命令。部门

地址（所希望的扇区内的任意地址的位置）

被锁定在WE的下降沿，而命令

（数据）被锁定在WE的上升沿。超时

µs

从最后一个扇区擦除的上升沿

命令将启动扇区擦除命令（S ）。

多个部门同时可以通过书面形式删除

六个总线周期的操作，如上所述。这

序列之后的扇区擦除的写

命令，在其他行业所需的地址是

同时擦除。写操作之间的时间必须是

小于80

µs,

否则，该命令将不被响应

cepted 。建议在处理器的中断是

在这段时间内，以保证该条件禁用。

可以被重新使能的最后扇区之后的中断

擦除命令写入。超时80

µs

从

崛起的最后边，我们将开始执行

扇区擦除命令（S ）。如果另一个下降沿

在我们发生在80

µs

超时窗口

定时器复位。（监视器DQ3 ，以确定该扇区

擦除窗口仍处于打开状态，请参见DQ3 ，部门

清除定时器）的任何命令比扇区擦除等

或擦除在此期间暂停重置设备

阅读模式，忽略前面的命令字符串。在

这种情况下，重新启动这些部门擦除，并允许

他们来完成。（请参阅写操作状态

部分扇区擦除定时器操作。）加载

扇区擦除缓冲器可以以任何顺序来完成，并

用任意数量的扇区（ 1至8）。

扇区擦除呢

不

需要用户编程

设备擦除之前。自动装置

项目所有内存位置中的部门（ S）是

之前的电擦除功能。当擦除扇区

或部门的剩余未选中的部门都没有

的影响。该系统是

不

无须提供任何

在这些操作控制或定时。

自动扇区擦除的80后开始

µs

时间

从在WE脉冲的最后一个上升沿

扇区擦除指令脉冲和终止时的

在DQ7数据为“ 1" （请参阅写操作状态部分）

此时设备返回到读取模式。

中

扇区擦除命令的执行，只有

擦除暂停和擦除恢复命令

允许的。所有其他的命令将被忽略。

数据poll-

荷兰国际集团必须在一个地址中的任何一个来执行

部门被删除。

图2示出了嵌入式擦除算法

采用典型的命令字符串和总线操作。

芯片擦除

芯片擦除是六总线周期的操作。有两种

“解锁”写周期。这些后面是写

“设置”命令。两个“解锁”写周期

再其次是芯片擦除命令。

芯片擦除呢

不

需要用户编程

设备擦除之前。在执行嵌入

擦除算法指令序列的自动装置

matically将编程和验证整个存储器

前电擦除一个全零的数据模式。该

芯片擦除是在一个顺序执行的一个扇区

时间。该系统不要求提供任何控制

在这些操作期间或定时。

自动擦除开始上的上升沿

我们终于脉冲命令序列和终

纳茨当上DQ7的数据是“1 ”（见写操作

状态部分），在该时刻该设备返回到读

该模式。

图2示出了嵌入式擦除算法

采用典型的命令字符串和总线操作。

Am29F040

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