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AM29F040-150JC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29F040-150JC
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内容描述: 4兆位( 524,288 ×8位) CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存 [4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路
文件页数/大小: 33 页 / 418 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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表4 。
公共汽车
周期
职位月薪
1
4
4
4
6
6
第一巴士
写周期
ADDR
XXXXH
5555H
5555H
5555H
5555H
5555H
数据
F0H
AM29F040命令德网络nitions
第二巴士
写周期
ADDR
数据
第三巴士
写周期
ADDR
数据
四巴士
读/写
周期
ADDR
数据
第五公交车
写周期
ADDR
数据
第六巴士
写周期
ADDR
数据
命令
顺序
读/复位
读/复位
读/复位
自选
字节编程
芯片擦除
扇区擦除
AAH 2AAAH 55H
AAH 2AAAH 55H
AAH 2AAAH 55H
AAH 2AAAH 55H
AAH 2AAAH 55H
5555H
5555H
5555H
5555H
5555H
F0H
90H
RA
00H
01H
RD
01H
A4H
PD
AAH
AAH
2AAAH 55H
2AAAH 55H
5555H
SA
10H
30H
A0H
80H
80H
PA
5555H
5555H
扇区擦除暂停
扇区擦除简历
擦除可以在扇区擦除与地址(不小心)暂停,资料( B0H )
删除后可以恢复暂停与地址(不关心) ,数据( 30H )
注意事项:
1.地址位A15 , A16 , A17 , A18和= X =不关心,除了程序地址的所有地址的命令( PA ) ,部门
地址( SA ) ,读地址( RA )和自选保障部门核实。
2.总线操作去连接的定义如表1 。
要读3 RA =地址的内存位置。
PA =地址的存储单元进行编程。地址被锁存,在WE脉冲的下降沿。
要擦除SA =地址的部门。的A18 A17的组合, A16将唯一地选择任何扇区(见表3) 。
在读操作从位置RA读4 RD =数据。
PD =数据到位置PA进行编程。数据锁定在WE的上升沿。
5.读非擦除扇区被允许在擦除挂起模式。
读/复位命令
通过写入的启动的读或复位操作
读/复位命令序列进入命令稳压
存器。微处理器读周期获取数组数据
从存储器。该设备仍然启用
读取,直到该命令寄存器中的内容被改变。
设备会自动开机,在读/
复位状态。在这种情况下,一个命令序列是不
读数据所需的。标准的微处理器读
周期将检索数组数据。此默认值恩
祖雷斯贝尔存储器内容没有虚假变更
在电源转换过程中发生。参见AC
阅读特点和波形的特定网络ç
定时参数。
该器件包含一个命令自动选择操作
以补充传统的PROM编程于方法
易学。通过写自动启动运作
选择命令序列到命令寄存器。
下面的命令写,从一个读周期AD-
礼服XX00H检索01H的工厂代码。一
读周期,从地址XX01H返回设备
代码A4H (见表2)。所有制造商和设备
码会表现出与MSB ( DQ7 )奇校验
德网络定义为奇偶校验位。
扫描扇区地址( A16, A17 , A18 ),而
(A6 ,A1,A0 )=( 0,1, 0)时产生一个逻辑“1”时
器件输出DQ0为受保护的行业。
以终止该操作,有必要写
读/复位命令序列到寄存器。
自选命令
闪存被用于在应用程序中使用
其中本地CPU改变存储器的内容。因此,
制造和设备代码必须能够访问
而设备驻留在目标系统。舞会
程序员通常通过访问特征码
养A9到高电压。但是,高复
电压到地址线一般不被期望的
系统设计实践。
字节编程
该设备被编程在逐字节的基础。
编程是一个四总线周期操作。有
两个“解锁”写周期。这些在后面的是
程序设置命令和数据写入周期。 AD-
衣服被锁存CE或WE的下降沿,
以较迟者为准情况和数据被锁存的
CE或WE的上升沿,无论发生网络RST 。该
Am29F040
9