AM29F040B-120PC 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AM29F040B-120PC
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内容描述：	4兆位（ 512K的×8位） CMOS 5.0伏只，统一部门快闪记忆体 [4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory]
分类和应用：	内存集成电路光电二极管
文件页数/大小：	35 页 / 762 K
品牌：	AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]

设备总线操作

本节介绍的要求和使用

设备总线操作，这是通过启动

内部命令寄存器。命令寄存器IT-

自不占用任何寻址MEMOR ÿ

位置。该寄存器由存储锁存器

的命令，随着地址和数据Infor公司

息需要执行的命令。内容

寄存器作为输入到内部状态马

折角。状态机输出规定的功能

该设备。相应的设备总线操作

表列出了输入和所需的控制水平，以及

输出结果。以下小节介绍

每个更详细，这些操作。

表1中。

手术

读

写

CMOS待机

TTL待机

输出禁用

AM29F040B设备总线操作

CE＃

± 0.5 V

OE ＃

WE＃

A0–A20

DQ0–DQ7

OUT

高-Z

图例：

L =逻辑低= V

，H =逻辑高电平= V

, V

= 12.0

0.5 V ， X =无所谓，D

=数据输入，D

OUT

=数据输出，A

=地址

注意：

请参阅“扇区保护/ unprotection的”一节。了解更多信息。

对于读阵列数据要求

从输出读阵列数据，系统必须

驱动CE ＃和OE ＃引脚V

。 CE＃为电源

控制和选择器件。 OE＃为输出CON-

控制和门阵列的数据输出引脚。 WE＃应

保持在V

内部状态机设置为读取阵列数据

当设备加电时，或者经过一个硬件复位。这

确保了存储器CON-的无杂散变更

电源转换过程中出现的帐篷。没有命令

必要在该模式下，以获得阵列的数据。标准

微处理器读取周期的断言有效地址

在设备上的地址输入端上产生的有效数据

设备数据输出。该设备仍然启用

读访问，直到命令寄存器内容

改变。

见“读阵列数据”的详细信息。参考

在AC读操作表计时规范

tions和为读操作时序图

时序波形。我

CC1

在直流特性

表表示有功电流规范

读阵列数据。

表示每个扇区占用的地址空间。

A“扇区地址”由所需的地址位

唯一地选择一个扇区。请参阅“命令Defini-

在擦除扇区或范“一节

整个芯片，或暂停/恢复擦除

操作。

系统后写自选命令SE-

quence ，器件进入自动选择模式。该

然后，系统可以从接口读取自动选择码

纳尔寄存器（它是分开的存储器阵列）

在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用于本

模式。请参阅“自选模式”和“自选

命令序列“的详细信息部分。

CC2

在DC特性表代表了AC-

略去电流规格为写入模式。在“AC

特性“部分包含时序规格

表和时序图，用于写操作。

编程和擦除操作状态

在一个擦除或写入操作时，系统可

通过读取状态检查操作的状态

位在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序和我

读取规格适用。请参阅“写操作

状态“的详细信息，以及每个AC字符

开创性意义部分的时序图。

写命令/命令序列

写一个命令或命令序列（这在 -

cludes编程数据到设备和擦除

的存储器扇区）时，系统必须驱动WE＃和

CE＃到V

和OE ＃到V

擦除操作可以擦除一个扇区，多节

器，或整个设备。扇区地址表

待机模式

当系统没有读取或写入设备，

它可以将器件置于待机模式。在这

模式下，电流消耗大大减少，并且

Am29F040B

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