数据表
Am29F040B
4兆位( 512K的×8位)
CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体
特色鲜明
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5.0 V
±
用于读取和写入操作10 %
- 最大程度降低系统级功耗要求
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米AM29F040设备
高性能
- 存取时间快55纳秒
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 1 μA典型待机电流(标准访问
时间到活动模式)
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灵活的部门架构
- 每64千字节8部门统一
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
- 行业保护:
锁定行业,以防止硬件方法
该部门内的任何程序或擦除操作
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嵌入式算法
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- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
每次最少百万编程/擦除周期
担保业
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 32引脚PLCC , TSOP ,或PDIP
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
擦除暂停/删除恢复
- 挂起一个扇区擦除操作来读取数据
由,或程序数据,一个非擦除扇区,
然后恢复擦除操作
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21445
启:
E
修订:
5
发行日期:
2006年11月1日