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AM29F040B-90JD 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29F040B-90JD
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内容描述: 4兆位( 512K的×8位) CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体 [4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory]
分类和应用: 内存集成电路
文件页数/大小: 36 页 / 1038 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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D A T A
该雇期间写入设备的任何命令
床的程序算法被忽略。
编程允许以任何顺序和跨
扇区边界。
有一点不能被编程
从“0”返回到“1” 。
尝试这样做可能会停止
的操作和设置DQ5为“1” ,或者导致数据#
轮询算法,指示操作是suc-
cessful 。然而,后续的读取表明
数据仍然是“0”。只擦除操作可以转换为“0”
到一个“1”。
中文ê (E T)
前电存储器为全零的数据图案
抹去。该系统不要求提供有关的任何
在这些操作的控件或计时。命令
定义表所示的地址和数据要求一
ments为芯片擦除命令序列。
在嵌入期间写入到芯片的任何命令
DED擦除算法被忽略。
该系统可确定擦除的状态OP-
关合作通过DQ7 , DQ6 ,或DQ2 。看
有关这些状态位的信息。
当嵌入式擦除算法完成后,
设备返回读取阵列数据和地址
不再锁定。
2
说明了算法的擦除操作
化。看到在擦除和编程操作表
为参数,并且向芯片/
扇区擦除操作时序的时序波形。
开始
写程序
命令序列
扇区擦除命令序列
扇区擦除是六总线周期的操作。部门
擦除命令序列被写两个非启动
锁循环,接着一个建立命令。两
解锁额外的写周期再其次是被
该扇区的地址被擦除,并且该扇区
擦除命令。该命令定义表
示为仲丁基的地址和数据要求
器擦除命令序列。
No
嵌入式
节目
算法
进行中
数据轮询
从制度
验证数据?
是的
No
增量地址
最后一个地址?
该设备不
要求系统进行预编程
之前的记忆中抹去。嵌入式擦除algo-
rithm自动编程和校验部门
前电擦除一个全零的数据模式。该
系统不需要提供任何控制或时序
在进行这些操作时英格斯。
命令序列被写入后,扇区擦除
超时50微秒的开始。在超时期间,
更多的扇区地址和扇区擦除的COM
mands可被写入。加载扇区擦除缓存
可以以任何顺序进行,和仲 - 数
器可以从一个部门到各部门。时间
这些额外的周期之间必须小于50
微秒,否则最后的地址和命令可能不
是公认的,和擦除就可以开始。这是中建议
谁料到处理器中断期间被禁用
此时,以确保所有的命令被接受。在 -
可以被重新使能的最后扇区擦除后中断随时
命令被写入。如果附加的仲之间的时间
器擦除命令可以被认为是小于
50微秒,该系统不需要监控DQ3 。
所有的COM
普通话比扇区擦除或擦除挂起其他
在超时周期复位装置
读阵列数据。
该系统必须重写的COM
命令序列和任何额外的扇区地址
和命令。
该系统可以监测DQ3 ,以确定该扇区
清除计时器超时。 (见
11
是的
程序设计
已完成
注意:
请参阅相应的命令定义表
程序命令序列。
图1 。
程序运行
芯片擦除命令序列
芯片擦除是六总线周期的操作。该芯片擦除
命令序列写入两个解锁启动
个循环,接着一个建立命令。两个额外的
解锁写周期再其次是芯片擦除被
命令,从而调用嵌入式擦除
算法。该设备不
要求系统
预编程擦除之前。嵌入式擦除algo-
rithm自动preprograms并检验整个
2006年11月1日21445E5
Am29F040B