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中文ê （E T）
概述
该AM29F040B是4兆， 5.0伏，只有闪存存储器
储器组织为524,288字节，每个字节8位。该
512字节的数据被分为64个8扇区
每个字节进行灵活的擦除能力。的8位的
数据显示在DQ0 - DQ7 。该AM29F040B提供
32引脚PLCC ， TSOP和PDIP封装。该装置
被设计成在系统编程与标
达尔德系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不
在用于写或擦除操作。该设备可以
同时在标准EPROM编程器进行编程。
该器件采用AMD的0.32微米制造亲
塞斯技术，并提供所有的功能和
该AM29F040 ，将其制造的好处
采用0.5微米工艺技术。也是出于中，
AM29F040B具有第二切换位， DQ2 ，并且还OF-
FERS在擦除编程挂起模式的能力。
标准AM29F040B提供的55存取时间，
70 ， 90 ，和120纳秒，从而允许高速microproces-
理器，而无需等待状态运行。为了消除总线
争的设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ） ，
写使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写赛扬
克莱斯内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过阅读DQ7 （数据＃
轮询）和DQ6 （切换）
状态位。
一个程序后，
或擦除周期已经完成，该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
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Am29F040B
21445E5 2006年11月1日
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
