数据表
概述
该Am29F080B是8兆， 5.0伏，只有闪存存储器
储器组织为1,048,576字节。的8位数据
出现在DQ0 - DQ7 。该Am29F080B提供的
40引脚TSOP和44引脚SO封装。该装置是
设计了要被编程在系统的标准
系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不重新
需要准备编程或擦除操作。该设备可以
同时在标准EPROM编程器进行编程。
该器件采用AMD的0.32微米制造
工艺技术，并提供所有的功能和苯并
在Am29F080 ，这是用制造的efits
0.5微米工艺技术。
该标准的设备提供的55 ，70， 90的访问时间，
和120纳秒，允许高速微处理器才能工作
中心提供全方位无等待状态。为了消除总线争用，
该设备有独立的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能
（ WE＃ ） ，并且输出使能（OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后，该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功耗大大降低
此模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
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Am29F080B
21503G5 2006年11月1日
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
