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AM29F200AB-70EC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29F200AB-70EC
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内容描述: 2兆位( 256千×8位/ 128的K× 16位) CMOS 5.0伏只,引导扇区闪存 [2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 39 页 / 448 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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初步
Am29F200A
2兆位( 256千×8位/ 128的K× 16位)
CMOS 5.0伏只,引导扇区闪存
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 %
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
高性能
- 存取时间快55纳秒
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流(字节模式)
- 27 mA典型有效的读电流
(字模式)
- 30毫安典型的编程/擦除电流
— 1
µA
典型待机电流
s
扇区擦除架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
3个64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
3个32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
部门可以通过编程来锁定
设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
最少100,000次写/擦除周期保证
s
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
s
数据#投票和切换位
- 检测编程或擦除周期完成
s
就绪/忙#输出( RY / BY # )
- 硬件的检测方法,程序或
擦除周期结束
s
擦除暂停/删除恢复
- 支持从一个部门不被读取的数据
删除
s
硬件RESET #引脚
- 复位内部状态机来读取
数组数据
出版#
20637
启:
B
Amendment/+3
发行日期:
1998年3月