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AM29F400AB-90SC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29F400AB-90SC
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内容描述: 4兆位( 524,288 ×8位/ 262,144 x 16位) CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存 [4 Megabit (524,288 x 8-Bit/262,144 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 35 页 / 140 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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初步
Am29F400AT/Am29F400AB
4兆位( 524,288 ×8位/ 262,144 x 16位) CMOS 5.0伏只,
扇区擦除闪存
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 %
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
兼容采用符合JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
s
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
s
最少100,000次写/擦除周期保证
s
高性能
- 最大60 ns访问时间
s
扇区擦除架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
7 64字节
•任何部门的结合可以被删除。还
支持整片擦除。
s
扇区保护
- 硬件方法禁用任意组合
自写或擦除操作部门。
使用标准的PROM实现
编程设备。
s
嵌入式擦除
算法
- 自动preprograms和擦除芯片
或任何部门
s
嵌入式程序
算法
- 自动在程序和VERI音响ES数据
特定网络版地址
s
数据轮询和切换位功能检测
的编程或擦除周期完成
s
就绪/忙输出( RY / BY )
- 硬件的检测方法,程序或
擦除周期结束
s
擦除挂起/恢复
- 支持从一个部门不被读取的数据
删除
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流为字节模式
- 27 mA典型有效的读电流模式字
- 30毫安典型的编程/擦除电流
s
增强的电源管理,待机
模式
— 1
µ
典型待机电流
s
引导代码部门架构
- T =热门行业
- B =底部部门
s
硬件复位引脚
- 复位内部状态机读方式
5.0 V-仅限于Flash
概述
该Am29F400A是4兆, 5.0伏,只有闪存
组织为512字节的8位或每256 K字
的每个16比特。在4兆比特的数据被划分成11个
一个16字节的扇区,两个8字节, 1个32字节,
七64千字节,用于灵活的擦除能力。该
8位数据将出现在DQ0 - DQ7或16位上
DQ0 - DQ15 。该Am29F400A提供44引脚SO
和48引脚TSOP封装。本设备被设计
要被编程在系统的标准系统
5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不要求
编程或擦除操作。该设备还可以重新
在标准EPROM编程器编程。
该标准Am29F400A提供了访问时间
60纳秒, 70纳秒, 90 NS , NS 120和150纳秒,使高
高速微处理器无需等待状态运行。
为了消除总线争用的设备有另行
利率芯片使能( CE ) ,写使能( WE)和输出
启用( OE )控制。
该Am29F400A完全是命令集兼容
与JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制该擦除和编程电路。
出版#
20380
启:
B
Amendment/0
发行日期:
1997年4月
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。