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AM29F400BB-90EC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29F400BB-90EC
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内容描述: 4兆位( 512K的×8位/ 256千×16位) CMOS 5.0伏只引导扇区闪存 [4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 43 页 / 874 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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中文ê (E T)
概述
该Am29F400B是4兆, 5.0伏,仅限于Flash
内存组织为524,288字节或262,144字。
该器件采用44引脚SO和48引脚TSOP
包。该设备也处于的正确可用
芯片(KGD )的形式。欲了解更多信息,请参阅出版物
化数21258.字范围内的数据( X16 )出现
在DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据出现在
DQ7 - DQ0 。本设备被设计为被编程IN-
系统与标准系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0
V V
PP
不需要用于写入或擦除操作。该
装置还可以在标准EPROM编程
程序员。
该器件采用AMD的0.32微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
在Am29F400 ,这是用制造的efits
0.5微米工艺技术。
该标准的设备提供的45 ,50, 55的访问时间,
70 , 90 ,和120纳秒,使高速microproces-
理器,而无需等待状态运行。为了消除总线
争的设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,
写使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6 /
DQ2 (切换)
状态位。
编程或擦除后
周期已经完成,该装置已准备好读取
阵列中的数据或者接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器中的扇区的任意组合。
这可以通过编程设备来实现。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时,通过福勒- Nordheim隧穿。该数据是
用热电子注入编程。
2
Am29F400B
21505E5 2006年11月1日