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AM29F400BB-90SE 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29F400BB-90SE
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内容描述: 4兆位( 512K的×8位/ 256千×16位) CMOS 5.0伏只引导扇区闪存 [4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 43 页 / 874 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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D A T A
中文ê (E T)
设备总线操作
本节介绍的要求和使用
设备总线操作,这是通过启动
内部命令寄存器。命令寄存器
本身不占用任何可寻址存储器地址
化。该寄存器是由存储在锁存器的
命令,随着地址和数据的信息
化需要执行的命令。的内容
寄存器作为输入的内部状态
机。状态机输出决定了功能
化设备。表1列出了设备总线
操作中,输入和它们需要的控制水平,
并且所得到的输出。以下小节
在进一步详细描述这些操作。
表1. Am29F400B设备总线操作
DQ8–DQ15
手术
CMOS待机
TTL待机
输出禁用
硬件复位
临时机构撤消(见注)
CE#
L
L
V
CC
±
0.5 V
H
L
X
X
OE #
L
H
X
X
H
X
X
WE#
H
L
X
X
H
X
X
RESET#
H
H
V
CC
±
0.5 V
H
H
L
V
ID
A0–A17
A
IN
A
IN
X
X
X
X
A
IN
DQ0–DQ7
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
BYTE #
= V
IH
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
BYTE #
= V
IL
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
X
图例:
L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
= 12.0
±
0.5 V , X =无所谓,D
IN
=数据输入,D
OUT
=数据输出,A
IN
=地址
注:请参阅
该部分onSector组保护和临时机构撤消了解更多信息。
字/字节CON组fi guration
该BYTE #引脚控制设备是否数据I / O
引脚DQ15 - DQ0工作在字节或字的配置
化。如果BYTE #引脚设置为逻辑'1' ,该装置是在
字配置, DQ15 - DQ0活跃和反对
通过CE#和OE #控制。
如果BYTE #引脚设置为逻辑'0' ,该装置是在字节
构,并且仅数据I / O管脚的DQ0 - DQ7的是
积极通过CE#和OE #控制。数据I / O
销DQ8 - DQ14是三态,而DQ15引脚
作为输入的LSB( A-1)地址的功能。
该器件地址输入产生的有效地址
上的设备的数据输出有效数据。该装置
保持启用,直到命令读取访问
寄存器的内容被改变。
见“读阵列数据”的详细信息。参考
在AC读操作表计时规范
tions和图9的时序图。我
CC1
DC特性表代表了目前活跃
特定网络阳离子读取阵列数据。
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列(其
包括编程数据到设备和擦除
的存储器扇区)时,系统必须驱动WE#和
CE#到V
IL
和OE #到V
IH
.
对于程序的操作, BYTE #引脚决定
该设备是否接收节目数据中的字节或
话。请参阅“字/字节配置”更多
信息。
擦除操作可以擦除一个扇区,多节
器,或整个设备。表2和表3表示的
每个扇区占据的地址空间。 A“部门
地址“包含所需的地址位
唯一选择一个部门。 “命令定义”
部分对擦除扇区或整个细节
芯片,或悬浮/恢复的擦除操作。
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据,系统必须
驱动CE #和OE #引脚V
IL
。 CE#为电源
控制和选择器件。 OE#为输出
控制与门阵列的数据到输出引脚。 WE#
应保持在V
IH
。该BYTE #引脚决定
该设备是否输出数组中的数据字或
字节。
内部状态机设置为读取阵列数据
当设备加电时,或者经过一个硬件复位。这
确保了存储器的无杂散变更
电源转换过程中出现的内容。没有
命令是必要的,该模式以获得阵列
数据。标准的微处理器读周期的断言
8
Am29F400B
21505E5 2006年11月1日