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AM29F400BB-90SI 参数 Datasheet PDF下载

AM29F400BB-90SI图片预览
型号: AM29F400BB-90SI
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内容描述: 4兆位( 512K的×8位/ 256千×16位) CMOS 5.0伏只引导扇区闪存 [4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 43 页 / 874 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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中文ê (E T)
测试条件
表7中。
5.0 V
测试条件
设备
TEST
CL
6.2 kΩ
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
输入定时测量
参考电平
注意:
二极管IN3064或同等学历。
输出定时测量
参考电平
5
0.0–3.0
1.5
1.5
20
0.45–2.4
0.8, 2.0
0.8, 2.0
ns
V
V
V
2.7 kΩ
输出负载
输出负载电容,C
L
(包括夹具电容)
30
-45,
-50, -55
所有
OTHERS
单位
测试规范
1 TTL门
100
pF
网络连接gure 8 。
测试设置
关键开关波形
波形
输入
稳定
改变从H到L
改变以L至H
不关心,任何允许更改
不适用
改变,状态未知
中心线为高阻抗状态(高阻)
输出
2006年11月1日21505E5
Am29F400B
25