D A T A
中文ê (E T)
DC特性
TTL / NMOS兼容
参数
I
LI
I
点亮
I
LO
描述
输入负载电流
A9 , OE # , RESET #输入负载
当前
输出漏电流
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC MAX
V
CC
= V
CC MAX
;
A9 , OE # , RESET # = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC MAX
CE# = V
IL
, OE # = V
IH
,
f
= 5兆赫,字节模式
CE# = V
IL
, OE #
=
V
IH
,
f
= 5兆赫,字模式
CE# = V
IL
, OE # = V
IH
CE # , RESET #和OE # = V
IH
–0.5
2.0
V
CC
= 5.0 V
I
OL
= 5.8毫安,V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= -2.5毫安,V
CC
= V
CC分钟
2.4
3.2
4.2
11.5
19
19
36
0.4
民
典型值
最大
±1.0
50
±1.0
40
50
60
1
0.8
V
CC
+0.5
12.5
0.45
单位
µA
µA
µA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
I
CC1
V
CC
读操作工作电流
(注1,2 )
I
CC2
I
CC3
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
V
OH
V
LKO
V
CC
主动写电流
(注2,3, 4)
V
CC
待机电流(注2 )
输入低电压
输入高电压
电压自动选择和
临时机构撤消
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
注意事项:
1.我
CC
目前上市的是通常小于2毫安/兆赫,使用OE #在V
IH
..
2.我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CCmax
.
3. I
CC
积极而嵌入式擦除或嵌入式程序正在进行中。
4.未经100%测试。
2006年11月1日21505E5
Am29F400B
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