数据表
Am29LV010B
1兆位（ 128千×8位）
CMOS 3.0伏只统一部门快闪记忆体
该Am29LV010B不提供用于新设计。请联系Spansion公司代表候补。
特色鲜明
❥
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 〜3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围： 3.0〜 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
❥
在0.32微米制程技术制造的
❥
高性能
- 全电压范围：存取时间快55纳秒
❥
超低功耗（在典型值
5兆赫）
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
❥
灵活的部门架构
- 八16字节
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门，以防止硬件方法
该部门内的任何程序或擦除操作
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
❥
解锁旁路模式程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
❥
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
❥
每次最少百万写周期保证
扇形
❥
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
❥
封装选项
- 32引脚TSOP
- 32引脚PLCC
❥
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
❥
数据＃查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
❥
擦除暂停/删除恢复
- 支持自编程或读取的数据数据
到一个没有被擦除的扇区
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
22140
启：
D
修订：
6
发行日期：
二〇〇六年十月十一日
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
