初步
模式。指的是自选模式，并自动选择
命令序列部分以获取更多信息。
I
CC2
在DC特性表代表了AC-
略去电流规格为写入模式。在“AC
特性“部分包含时序规格
表和时序图，用于写操作。
信号。标准地址的访问时序提供了新的
当地址被更改的数据。而在睡眠
模式时，输出数据被锁存并总是可用
该系统。我
CC4
在DC特性表
ř epresen TS前作非盟马蒂奇SLE EP模式CURR耳鼻喉科
特定连接的阳离子。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统可
通过读取状态检查操作的状态
位在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序和我
CC
读取规格适用。请参阅“写操作
状态“的详细信息，并以” AC Characteris-
抽动“的时序图。
RESET ＃ ：硬件复位引脚
在RESET ＃引脚提供了复位 - 硬件方法
婷设备读取阵列数据。当RE-
SET ＃引脚被拉低了至少一个周期T
RP
中，
设备
立即终止
在任何操作
进步，所有的三态输出引脚，而忽略所有
阅读的RESET ＃持续时间/写命令
脉搏。该器件也复位内部状态马
茅根阅读阵列的数据。这是IN-操作
terrupted应该重新开始，一旦该设备已准备就绪
接受另一个命令序列，以确保数据的
诚信。
电流减小为的RESET ＃持续时间
脉搏。当RESET ＃保持在V
SS
± 0.3 V时，器件
平CMOS待机电流（I
CC4
） 。如果RESET ＃举行
在V
IL
但不是在V
SS
± 0.3 V时，备用电流的意志
更大。
在RESET ＃引脚可以连接到系统复位税务局局长
cuitry 。系统复位将因此还重新设置闪光
存储器，使系统能够读取开机
固件从闪存中。
如果RESET ＃是在一个程序断言或擦除操作
ATION的RY / BY ＃引脚保持为“0” （忙） ，直到出现
ternal复位操作完成，这需要一个
时间t
准备
（在嵌入式算法） 。该
这样的系统可以监控RY / BY ＃来确定是否
在复位操作完成。如果RESET ＃是断言
当一个程序或擦除操作不执行
（ RY / BY＃引脚为“1”） ，在复位操作完成时
吨的时间内
准备
（不是在嵌入式Algo-
rithms ） 。该系统可以读取的数据吨
RH
在RE-后
SET ＃引脚返回到V
IH
.
请参考RESET＃纸张的交流特性表
rameters和图14的时序图。
待机模式
当系统没有读取或写入设备，
它可以将器件置于待机模式。在这
模式下，电流消耗大大减少，并且
输出被置于高阻抗状态，不知疲倦
下垂的OE ＃输入。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃和RESET ＃引脚均保持在V
CC
±
0.3 V.
（注意，这是一个更受限制的电压范围比
V
IH
）如果CE ＃和RESET ＃保持在V
IH
但内
V
CC
±
0.3 V时，该设备将处于待机状态，但
待机电流将更大。该设备要求
标准访问时间（t
CE
）进行读访问时，
设备是在这两种待机模式，它是前
准备读取数据。
该设备还进入待机模式时， RE-
SET ＃被拉低。请参阅下一节“ RE-
SET ＃ ：硬件复位引脚“ 。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明，该器件消耗的有功电流，直到
操作完成。
I
CC3
在DC特性表代表
待机电流规格。
自动休眠模式
自动睡眠模式，最大限度地降低闪存器件
能量消耗。自动装置
使得当地址保持稳定为这种模式
t
AC - C
3 + 0纳秒。该AUTOM ATIC SL EEP模式是
独立的CE ＃ ， WE ＃和OE ＃控制
输出禁止模式
当OE ＃输入为V
IH
从设备输出是
禁用。输出引脚被放置在高阻抗
ANCE状态。
Am29LV017B
8
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
