欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AM29LV040B-120EI 参数 Datasheet PDF下载

AM29LV040B-120EI图片预览
型号: AM29LV040B-120EI
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 4兆位( 512K的×8位) CMOS 3.0伏只,均匀部门32引脚闪存 [4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 37 页 / 698 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
 浏览型号AM29LV040B-120EI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AM29LV040B-120EI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AM29LV040B-120EI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AM29LV040B-120EI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AM29LV040B-120EI的Datasheet PDF文件第12页浏览型号AM29LV040B-120EI的Datasheet PDF文件第13页浏览型号AM29LV040B-120EI的Datasheet PDF文件第14页浏览型号AM29LV040B-120EI的Datasheet PDF文件第15页  
D A T A
在这种模式下。指的是自选模式和Autose-
信息。
I
CC2
在DC特性表代表
有功电流规格为写入模式。在“AC
表和时序图,用于写操作。
中文ê (E T)
待机模式下,但待机电流将
更大的。该设备需要接入标准时间(t
CE
)
进行读访问时,该设备在任一这些
待机模式中,它准备读数据之前。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明,该器件消耗的有功电流,直到
操作完成。
I
CC3
在DC特性表代表
待机电流规格。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时,系统可
通过读取状态检查操作的状态
位在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序和我
CC
读取规格适用。请参阅“写操作
自动休眠模式
自动睡眠模式,最大限度地降低闪存器件
能量消耗。该设备将自动启用
当地址保持稳定吨这种模式
+ 30
纳秒。自动睡眠模式是独立的
CE # , WE #和OE #控制信号。标准地址
时序进入时提供的地址是新数据
改变了。而在睡眠模式下,输出数据被锁存
并始终可用的系统。我
CC4
在直流
模式电流规范。
待机模式
当系统没有读取或写入设备,
它可以将器件置于待机模式。在这
模式下,电流消耗大大减少,并且
输出被置于高阻抗状态,不知疲倦
下垂的OE #输入。
该器件进入CMOS待机模式时,
CE#引脚既保持在V
CC
±
0.3 V (注意,这是一个
更多的限制电压范围比V
IH
)如果CE #举行
在V
IH
,但不是在V
CC
±
0.3 V时,该设备将在
输出禁止模式
当OE #输入为V
IH
从设备输出是
禁用。输出引脚被放置在高阻抗
ANCE状态。
表2中。
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
A18
0
0
0
0
1
1
1
1
Am29LV040BT扇区地址表
A17
0
0
1
1
0
0
1
1
A16
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
(以十六进制表示)
00000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-7FFFFh
自选模式
自选模式提供了制造商和
设备识别和部门保护验证,
通过DQ7 - DQ0识别码输出。这
模式主要用于编程设备
自动匹配的设备与被编程
其相应的规划算法。不过,
自动选择的代码,也可以在系统访问
通过命令寄存器。
当使用编程设备中,自动选择
模式需要V
ID
( 11.5 V至12.5 V)地址引脚
A9 。地址引脚A6, A1和A0必须如所示
扇区地址必须出现在相应的
最高地址位(见表2)。表3示出了
剩下的地址位是不在乎。当所有
必要位已被设置为需要的编程
那么明设备可以读取相应的
识别代码DQ7 - DQ0 。
访问自动选择代码在系统中,主机
系统可以发出通过自选命令
命令寄存器,如表4所示。该方法
不需要V
ID
。请参阅“命令定义”
使用自动选择模式的详细信息。
二〇〇六年十月十一日21354E4
Am29LV040B
11