数据表
Am29LV040B
4兆位( 512K的×8位)
CMOS 3.0伏只,均匀部门32引脚闪存
该Am29LV040B不提供用于新设计。请联系Spansion公司代表候补。
特色鲜明
■
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 〜3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0〜 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
■
在0.32微米制程技术制造的
■
高性能
- 全电压范围:存取时间快70纳秒
- 稳压电压范围:存取时间快
60纳秒
■
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 自动休眠模式: 0.2 μA
- 待机模式: 0.2 μA
- 读取模式: 7毫安
- 编程/擦除模式: 15毫安
■
灵活的部门架构
- 八64 KB的行业
- 任何部门的结合可以被删除;
支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门,以防止硬件方法
该部门内的任何程序或擦除操作
部门可以通过编程来锁定
设备
■
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
■
嵌入式算法
- 自动嵌入式擦除算法
预编程和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
■
最低百万擦除周期保证
■
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
■
封装选项
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
■
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
■
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除周期结束
■
擦除挂起/恢复
- 支持自编程或读取的数据数据
一个扇区没有被删除
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品的规格,本数据资料
在随后的版本或修改由于改变技术规范进行修订。
出版#
21354
启:
E
修订:
4
发行日期:
二〇〇六年十月十一日