概述
该Am29LV160B是16兆， 3.0伏只闪存
组织为2,097,152字节或1,048,576字。 DE-的
副提供的48球FBGA封装， 44引脚SO和48引脚
TSOP封装。所述字宽的数据（ x16的）出现在
DQ15 - DQ0 ;字节宽的（x8）数据出现在DQ7-
DQ0 。此装置被设计在系统被编程
与标准体系3.0伏V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
或5.0 V
CC
不需要用于写入或擦除操作。
该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该设备提供了访问时间的70％，80 ， 90 ，和120个
NS ，允许高速微处理器来操作
无需等待。为了消除总线争用的DE-
副设有独立的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能
（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该Am29LV160B完全是命令集兼容
与
JEDEC单电源闪存标
准。
命令被写入命令寄存器
采用标准的微处理器写时序。注册
内容作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除，
自动装置倍擦除脉冲宽度
并验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
编程或擦除周期后，
已经完成时，该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程，而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门保护
化
功能禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器中的扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
该
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据，或程序数据，即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可以连接到
系统复位电路。系统复位将因此
还重置设备，使系统微处理器的
处理器读取Flash中的引导固件
内存。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
AMD的闪存技术，结合多年闪存存储器的
储器制造经验，生产的最高
的质量，可靠性和成本效益的水平。该
装置电擦除一个扇区内的所有位Si-所示
通过multaneously福勒- Nordheim隧穿。该
数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV160B
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
