Am29LV160D
16兆位（2M ×8位/ 1的M× 16位）
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 〜3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围： 3.0〜 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
在0.23微米制程技术制造的
- 与0.32微米Am29LV160B设备完全兼容
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
超低功耗（在典型值
5兆赫）
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 9毫安读出电流
- 20毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
31 64千字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
31 32 K字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门，以防止硬件方法
该部门内的任何程序或擦除操作
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
最低百万写周期保证
每个扇区
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
s
CFI （通用闪存接口）兼容
- 提供特定于设备的信息发送给
系统，允许主机软件来容易
重新配置不同的闪存器件
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据＃查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
s
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成（不可用
在44引脚SO ）
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，
或程序数据，一个扇区是不是
擦除，然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
22358
启：
B
Amendment/+3
发行日期：
2000年11月10日
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
