欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AM29LV200BT-120EC 参数 Datasheet PDF下载

AM29LV200BT-120EC图片预览
型号: AM29LV200BT-120EC
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 2兆位( 256千×8位/ 128的K× 16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存 [2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 7 页 / 46 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
 浏览型号AM29LV200BT-120EC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AM29LV200BT-120EC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AM29LV200BT-120EC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AM29LV200BT-120EC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AM29LV200BT-120EC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AM29LV200BT-120EC的Datasheet PDF文件第7页  
超前信息
Am29LV200B
2兆位( 256千×8位/ 128的K× 16位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 〜3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0〜 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
在制造0.35
µm
工艺技术
- 兼容0.5
µm
Am29LV200设备
s
高性能
- 全电压范围:存取时间快80纳秒
- 稳压电压范围:存取时间快
70纳秒
s
超低功耗(在5个典型值
兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
3个64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
3个32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门,以防止硬件方法
内的任何程序或擦除操作
扇形
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
每次最少百万写周期保证
扇形
s
封装选项
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
1/23/98
出版#
21521
启:
A
Amendment/0
发行日期:
1998年1月