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AM29LV800BB-70SI 参数 Datasheet PDF下载

AM29LV800BB-70SI图片预览
型号: AM29LV800BB-70SI
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内容描述: 8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存 [8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 49 页 / 1659 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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硬件数据保护
解锁周期的命令序列要求
进行编程或擦除提供数据保护
防止意外写入(请参考表1
命令定义) 。此外,以下
硬件数据保护措施防止邮轮业咨询委员会
牙科擦除或编程,这可能问题WHO
通过智慧系统杂散电平信号引起
在V
CC
上电和断电的转换,或
从系统噪声。
当V防止无意识
CC
大于
V
LKO
.
写脉冲“毛刺”保护
小于5纳秒(典型值)上的OE #噪声脉冲, CE#
或WE#不启动写周期。
逻辑INHIBIT
写周期是由持有OE #任何一个抑制
= V
IL
,CE # = V
IH
或WE # = V
IH
。要开始写
周期, CE #和WE #必须,而OE #逻辑零
是一个逻辑1 。
低V
CC
写禁止
当V
CC
小于V
LKO
,该设备不
接受任何写周期。这期间, V保护数据
CC
上电和断电。命令寄存器
和所有内部程序/擦除电路都被禁止,
和设备重置。随后的写操作被忽略
直到V
CC
大于V
LKO
。系统必须
提供适当的信号发送到控制引脚
上电时禁止写入
如果WE# = CE # = V
IL
和OE # = V
IH
上电时,
该设备不接受的上升命令
的WE#边沿。内部状态机是automat-
ically重置为读出在上电时阵列的数据。
命令德网络nitions
写入特定的地址和数据的命令或
序列插入命令寄存器启动装置
操作。表1定义了有效的寄存器
命令序列。写作
地址不正确
和数据值
或者将它们写在
不当
顺序
设备重置读取阵列数据。
所有地址锁存WE#的下降沿
或CE # ,以较迟者为准发生。所有的数据被锁存
在WE#或CE #上升沿为准
首先发生。参阅相应的定时dia-
克“AC特性”一节中。
复位命令
写复位命令到设备重置
设备读取阵列的数据。地址位不
关心这个命令。
reset命令可以写成的
在擦除命令序列序列周期
擦除开始之前。这将重置设备
读阵列数据。一旦擦除开始,但是,
该设备将忽略复位命令,直到操作
化完成。
reset命令可以写成的
在程序命令序列顺序循环
节目开始之前。这将重置设备
读阵列数据(也适用于编程
擦除挂起模式) 。一旦程序开始,
然而,该设备忽略,直到复位命令
操作完成。
reset命令可以写成的
顺序循环中自动选择命令序列。
一旦在自选模式, reset命令
必须
被写入到返回读取阵列数据(也
适用擦除挂起时自动选择) 。
如果DQ5在程序变高或擦除操
化,写入复位命令返回设备
读阵列数据(也适用擦除可持中
挂起) 。
读阵列数据
该装置会自动设置为读取阵列数据
之后器件上电。没有命令要求
检索数据。该器件还准备读阵列
完成一个嵌入式程序后,数据或
嵌入式擦除算法。
之后,该设备接受一个擦除挂起命令,
该设备进入擦除挂起模式。该
系统可以使用标准的读取读取阵列数据
定时,所不同的是,即使读取在内的地址
删除悬浮部门,设备输出状态
数据。在完成编程操作在后
擦除挂起模式时,系统可能再次
用相同的异常读取阵列的数据。请参阅“删除
暂停/删除恢复命令“如需更多信息
息这一模式。
该系统
必须
发出复位命令来重新
启用该设备用于读取阵列数据,如果DQ5变
高时,或处于自动选择模式。请参阅“重设
命令“部分,接下来。
另请参阅“用于读取阵列数据的要求”
“设备总线的运行”一节的详细信
息。在读操作表提供的读
参数,以及图13示出了时序图。
自选命令序列
自选命令序列允许主机
系统访问的制造商,设备
码,并判断一个扇区是否是亲
tected 。表1示出的地址和数据要求一
求。此方法是一种替代,在所示
表4中,其目的是为PROM编程
并要求V
ID
在地址位A9 。
自动选择命令序列由启动
写入两个解锁周期,接着是自动选择
Am29LV800B
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