电气特性
描述
模拟量（V
TX
）输出阻抗
模拟量（V
TX
）输出失调
0 ° C至70℃
–1*
-40 ° C至+ 85°C
–1
模拟（ RSN ）输入阻抗
在A或B的纵向阻抗
过载水平
Z
2WIN
= 600至900
Ω
2线的回波损耗
（见测试电路D）
在300Hz到3.4kHz的
4-wire
2-wire
300赫兹至500赫兹
500 Hz至2.5 kHz的
2500 Hz至3.4 kHz的
在300Hz到3.4kHz的
在300Hz到3.4kHz的
200赫兹至1千赫
正常的极性为0° C至+ 70°C
正常的极性-40 ° C至+ 85°C
反接
1 kHz到3.4千赫
正常的极性为0° C至+ 70°C
正常的极性-40 ° C至+ 85°C
反接
纵向信号
第4代-L
纵向电流能力
每线
增益精度
300赫兹至800赫兹
300赫兹至800赫兹
活动状态
OHT状态
0 dBm时， 1 kHz时，
0 dBm时， 1 kHz时，
0 dBm时， 1 kHz时，
0 dBm时， 1 kHz时，
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
–0.15
–0.20
–0.1
–0.15
–3.1
–35
–30
–40
–35
1
测试条件（见注1 ）
民
典型值
3
+35
+30
mV
+40
+35
20
35
+3.1
Ω
VPK
最大
单位
Ω
记
4
—
—
—
4
4
4
2
传输性能， 2线阻抗
26
26
20
48
52
63
58
54
58
54
54
40
42
25
18
+0.15
+0.20
+0.1
+0.15
dB
–0.1
–0.15
–0.1
–0.15
+0.1
+0.15
+0.1
+0.15
—
4
—
4
mArms的
4
—
4
—
—
4
—
dB
4, 11
纵向平衡（ 2线和4线，见测试电路C）
R
L
= 600
Ω
纵向成金属L- T，L -4
纵向成金属L- T，L -4
–1*
–2*
–2
–2
–2*
–2
–2
–1*
dB
插入损耗（ 2至4线和4到2线，见测试电路A和B）
—
4
—
4
–1*
–1
随频率的变化
在300Hz到3.4kHz的
相对于1千赫
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
+7 dBm到-55 dBm的
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
增益跟踪
注意事项：
* P.G. =性能等级
-2级性能参数等同于-1的性能参数，除非另有说明。
6
Am79574数据表
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
