电气特性
描述
传输性能
2线的回波损耗
Z
VTX
，模拟量输出阻抗
V
VTX
，模拟输出偏移电压
Z
RSN
，模拟输入阻抗
过载水平， 2线和4线，
摘机
过载电平， 2线
THD （总谐波失真）
THD ，挂机， OHT状态
活动状态
挂机，R
LAC
= 600
Ω
+3 dBm时， BAT2 = -24 V
为0 dBm ，R
LAC
= 600
Ω
BAT1 = -75 V
200赫兹至1千赫
正极性
反接
正常的极性，
-40 ° C至+ 85°C
1 kHz到3.4千赫
正极性
反接
正常的极性，
-40 ° C至+ 85°C
纵向信号产生4 -L
每个引脚的纵向电流（A或B ）
在A或B的纵向阻抗
空闲信道噪声
C-消息加权噪音
噪声计权噪声
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
插入损耗和四到四线平衡返回信号（见测试电路A和B）
增益精度
增益精度
增益精度
增益精度
4-至2线
2-4线和
4-至4线
4-至2线
2-4线和
4-至4线
OHT状态，挂机
OHT状态，挂机
300到3400赫兹
相对于1千赫
增益跟踪
增益跟踪
OHT状态，挂机
+3 dBm至0 dBm的
群时延
注意：
*性能等级
为0 dBm ， 1千赫
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
–0.35
–6.37
–0.10
–0.15
–0.10
–0.15
–0.10
–0.15
–0.35
3
0
–6.02
+0.35
–5.77
+0.10
+0.15
+0.10
+0.15
+0.10
+0.15
+0.35
µs
3
1, 4, 6
3, 4
dB
3
为0 dBm ， 1千赫
为0 dBm ， 1千赫
–0.20
–6.22
0
–6.02
+0.20
–5.82
–83
+7
+11
+12
–79
–78
dBrnC
DBMP
4
主动或OHT状态
0至100Hz ，T
A
= +25°C
–1, –3*
–2, –4
–2
–2, –4
–1, –3*
–2, –4
–2
–2, –4
52
63
54
58
52
58
54
54
42
12
28
25
mArms的
Ω /针
4
4
dB
4
2.5
0.88
–64
–50
–40
dB
5
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
–35
–40
1
200 Hz至3.4 kHz的（测试电路D）
26
3
20
+35
+40
20
dB
Ω
mV
Ω
VPK
VRMS
4
2a
2b
1, 4, 6
4
测试条件（见注1 ）
民
典型值
最大
单位
记
纵向性能（见测试电路C）
纵向为金属
L- T，L -4的平衡
200赫兹至800赫兹的正常极性
增益精度在频率
+3 dBm至-55 dBm的0 ° C至+ 70°C
相对于0 dBm的-40 ° C至+ 85°C
0 dBm至-37 dBm的
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
SLIC产品
7
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
