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    AME8801NEEV 参数 Datasheet PDF下载

    AME8801NEEV图片预览
    型号： AME8801NEEV
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 300毫安CMOS LDO [300mA CMOS LDO]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 14 页 / 117 K
    品牌： AME [ ANALOG MICROELECTRONICS ]
     浏览型号AME8801NEEV的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AME8801NEEV的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AME8801NEEV的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AME8801NEEV的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AME8801NEEV的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AME8801NEEV的Datasheet PDF文件第11页浏览型号AME8801NEEV的Datasheet PDF文件第12页浏览型号AME8801NEEV的Datasheet PDF文件第13页  
    龙鼎微电子公司
    AME8801/8812/8840
    300毫安CMOS LDO
    电源抑制比
    -20
    -30
    -40
    电源抑制比
    0
    -10
    -20
    PSRR （分贝）
    C
    L
    = 2.2μF钽
    C
    B Y形P
    =0
    100mA
    C
    L
    = 2.2μF钽
    C
    B Y形P
    =1000pF
    100mA
    1mA
    PSRR （分贝）
    -30
    -40
    -50
    -60
    100mA
    10mA
    -50
    -60
    -70
    100mA
    10mA
    100µA
    100µA
    -70
    -80
    1.0E+01
    100µA
    100µA
    1mA
    -80
    1.0E+01
    1.0E+03
    1.0E+05
    1.0E+07
    1.0E+03
    1.0E+05
    1.0E+07
    频率（Hz）
    频率（Hz）
    电源抑制比
    -10
    -20
    -30
    电源抑制比
    -10
    -20
    -30
    C
    B Y形P
    = 100 pF的
    C
    L
    = 10
    µF
    钽
    I
    L
    = 100毫安
    C
    BYP
    = 0
    C
    BYP
    = 0
    C
    L
    = 5.6
    µF
    陶瓷的
    I
    L
    = 100毫安
    C
    B Y形P
    = 100 pF的
    PSRR （分贝）
    -40
    -50
    -60
    -70
    PSRR （分贝）
    -40
    -50
    -60
    -70
    C
    B Y形P
    = 1 nF的
    C
    B Y形P
    - 10 nF的
    C
    B Y形P
    = 1 nF的
    C
    B Y形P
    - 10 nF的
    -80
    1.0E+01 1.0E+02 1.0E+03 1.0E+04 1.0E+05 1.0E+06
    -80
    1.0E+01
    1.0E+02
    1.0E+03
    1.0E+04
    1.0E+05
    频率（Hz）
    频率（Hz）
    短路响应
    I
    负载
    (400mA/DIV)
    R
    1。· A D
    =100Ω
    R
    中文Ø ř牛逼
    =0.1Ω
    过温关断
    I
    OUT
    (200mA/DIV)
    0
    R
    1。· A D
    =6.6Ω
    0
    V
    OUT
    (1V/DIV)
    V
    OUT
    (1V/DIV)
    0
    TIME （ 2MS / DIV ）
    时间（ 0.5秒/ DIV ）
    0
    9

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