AME8810BEGT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AME8810BEGT
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内容描述：	600毫安CMOS LDO [600mA CMOS LDO]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 181 K
品牌：	AME [ ANALOG MICROELECTRONICS ]

AME公司

AME8805 / 8810

地电流与输入电压

600毫安CMOS LDO

负载阶跃（ 1毫安- 600毫安）

(5mV/DIV)

Ø本安输出

=2.2µF

接地电流（ μ A）

25 C

(200mA/DIV)

负载

输入电压（ V）

TIM E（ 20米S / DIV ）

辍学电压与输出电压

1200

-1 0

电源抑制比

辍学压（MV ）

1000

负载

=600mA

PSRR （分贝）

-2 0

-3 0

-4 0

-5 0

-6 0

800

= 2.2μF牛逼antalum

B Y形P

100米

600

400

100米

一千万

200

-7 0

-8 0

100

100K

1m的情况

10M

输出电压（V）

频率（Hz）

安全工作区

(1V/DIV)

600

S 0牛逼-223

ħ吃水墨

S 0牛逼-223

˚F REE一个IR

S 0牛逼-89

ħ吃水墨

线路瞬态响应

输出电流（mA ）

S 0牛逼-89

˚F REE一个IR

100

IN D C

=5.0V

=2.2µF

0 .1

1 .0

8 .0

(1mV/DIV)

输入O安输出Votage差（ V）

TIM E（ 2米S / DIV ）

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