AME8841LEHAZ 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AME8841LEHAZ
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内容描述：	600毫安CMOS LDO [600mA CMOS LDO]
分类和应用：
文件页数/大小：	14 页 / 119 K
品牌：	AME [ ANALOG MICROELECTRONICS ]

AME公司

AME8841

地电流与输入电压

600毫安CMOS LDO

负载阶跃（ 1毫安- 600毫安）

Vo(10mV/DIV)

接地电流（ μ A）

产量

=2.2µF

CIN=2.2µF

25 C

(200mA/DIV)

负载

时间（ 20毫秒/ DIV ）

输入电压（ V）

辍学电压与输出电压

1200

-10

电源抑制比

辍学压（MV ）

1000

负载

=600mA

PSRR （分贝）

-20

-30

-40

-50

-60

800

=2.2µF

钽

BYP

100mA

600

400

100mA

10mA

200

-70

-80

100

100K

1mA

10M

输出电压（V）

频率（Hz）

安全工作区

600

噪声测量

8807AEHA

输出电流（mA ）

8841AEHA

VO（ 1mV的DIV ）

=2.2µF

无滤波器

100

0.1

1.0

8.0

输入输出电压差（ V）

时间（ 20毫秒/ DIV ）

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