A25L016系列
说明
所有指令，地址和数据被移入和移出
设备，最显著位第一。
串行数据输入（ DIO ）进行采样的第一个上升沿
串行时钟（ C）片选后（
S
）被拉低。然后，将
一字节指令代码必须被移位到该设备，
第一最显著位，串行数据输入（ DIO） ，每个比特
被锁定在串行时钟（ C）的上升沿。
该指令集被列在表3中。
每个指令序列开始的一个字节的指令
代码。根据不同的指令，这可以接着
地址字节，或由数据字节，或由两者或无。
在读数据字节的情况下（READ ） ，读数据的字节
更高的速度（ FAST_READ ） ，读取识别（ RDID ） ，读
电子制造商和设备标识（ REMS ） ，
读状态寄存器（ RDSR）或深放
掉电，读取设备识别和读取电子
签名（ RES ）指令，
该移位式指令序列之后是一个数据输出
序列。片选（
S
）后的任何一位都可以驱动高
数据输出序列被移出。
在一个页面编程（ PP ） ，扇区擦除（ SE ）的情况下，座
擦除（ BE ） ，芯片擦除（ CE ） ，写状态寄存器（ WRSR ）
写使能（ WREN ） ，写禁止（ WRDI ）或深
掉电（ DP ）的指令，片选（
S
）必须驱动
高精确地在一个字节边界，否则该指令是
拒绝，并且不被执行。也就是说，片选（
S
）必须
驱动高时的时钟数片选脉冲后
(
S
）驱动为低电平是8的整数倍。
所有试图在写状态来访问存储阵列
注册周期，项目周期或擦除周期被忽略，
内部写状态寄存器周期，项目周期或
擦除周期继续不受影响。
表3.指令集
指令
描述
一字节
指令码
地址
字节
DUMMY
字节
数据
字节
雷恩
WRDI
RDSR
WRSR
读
FAST_READ
FAST_READ_DUAL
产量
FAST_READ_DUAL
·输入输出
PP
SE
BE
CE
DP
RDID
REMS
写使能
写禁止
读状态寄存器
写状态寄存器
读取数据字节
读数据字节以更快的速度
读数据字节以更高的速度通过
双输出
(1)
读数据字节以更高的速度通过
双输入双输出
(1)
页编程
扇区擦除
块擦除
芯片擦除
深度掉电
读取设备识别
阅读制造商&设备
鉴定
从深度掉电释放，
阅读电子签名
从深度掉电发布
0000 0110
0000 0100
0000 0101
0000 0001
0000 0011
0000 1011
00111011
10111011
0000 0010
0010 0000
1101 1000
1100 0111
1011 1001
1001 1111
1001 0000
06h
04h
05h
01h
03h
0Bh
3Bh
BBH
02h
20h
D8h
C7h
B9h
9Fh
90h
0
0
0
0
3
3
3
3
(2)
3
3
3
0
0
0
1
(3)
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
(2)
0
0
0
0
0
0
2
3
0
0
0
1
∞
1
1
∞
1
∞
1
∞
1
∞
1 256
0
0
0
0
1
∞
1
∞
1
∞
0
水库
1010 1011
ABH
注：（1 ） ，DIO = （四
6
, D
4
, D
2
, D
0
)
DO = （D
7
, D
5
, D
3
, D
1
)
（ 2 ）双输入， DIO = （ A22 ， A20 ， A18 ， ......... ， A6 ， A4 ， A2 ， A0 ）
DO = （ A23 ， A21 ， A19 ， ... ..， A7 ， A5 ， A3 ， A1 ）
（ 3 ） ADD = （ 00H ）将输出制造商的ID第一和ADD = （ 01H ），将输出设备ID第一
（ 2008年4月，版本0.0 ）
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AMIC Technology公司
AMICC [ AMIC TECHNOLOGY ]
