A29001 / A290011系列
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据，系统必须驱动
该
CE
和
OE
引脚V
IL
.
CE
是功率控制和
选择该设备。
OE
是输出控制和栅极
数组数据到输出引脚。
WE
应保持在V
IH
所有
读操作期间的时间。内部状态机
被设置用于在设备上电时读取阵列数据，或后
硬件复位。这将确保没有虚假变更
记忆的内容时，电源转换过程中。
没有命令，必须在此模式下，获得数组
数据。标准的微处理器读周期的断言
器件地址输入有效地址生成有效
上的设备的数据的数据输出。该器件遗体
启用之前，命令寄存器的读访问
内容也被改变。
见"Reading阵列Data"以获取更多信息。请参阅
交流读操作表，定时规范，
以用于定时的读操作时序图
波形，升
CC1
在DC特性表代表
有功电流规范用于读取阵列的数据。
待机模式
当系统没有读取或写入设备，它
可将设备置于待机模式。在这种模式下，
电流消耗被大大降低，并且输出
被置于高阻抗状态，独立的
OE
输入。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE
＆放大器;
RESET
销（
CE
仅A290011 ）都举行
V
CC
±
0.5V 。 （注意，这是一个更受限制电压
范围比V
IH
）该设备进入TTL待机模式
当
CE
被保持在V
IH
，而
RESET
（不适用于
A290011 ）保持在VCC ±0.5V 。设备需要的
标准访问时间（t
CE
）它准备读出的数据之前。
如果设备被擦除或编程的过程中取消选择，
该器件消耗的有功电流，直到操作
完成。
I
CC3
在DC特性表代表
待机电流规格。
输出禁止模式
当
OE
输入是在V
IH
从设备输出是
禁用。输出引脚被放置在高阻抗
状态。
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（其
包括编程数据到设备和擦除
的存储器扇区）时，系统必须驱动
WE
和
CE
到V
IL
和
OE
到V
IH
。擦除操作可以擦除1
扇区，多个扇区或整个设备。该部门
地址表中注明的地址范围，每个
界占有。一个"sector address"包括地址
需要唯一地选择一个扇区的输入。见
关于擦除细节"Command Definitions"节
扇区或整个芯片，或暂停/恢复擦除
操作。
在系统中写入自动选择命令序列，
器件进入自动选择模式。该系统可
然后从内部寄存器读取自动选择码
（这是分开的存储器阵列）上的I / O
7
- I / O
0
.
标准读周期时序适用于这种模式。请参阅
在"Autoselect Mode"和"Autoselect命令
Sequence"节以获取更多信息。
I
CC2
在特性表代表活动
当前规范为写入模式。该"AC
Characteristics"部分包含时序规格表
和时序图，用于写操作。
RESET
：硬件复位引脚（上A290011 N / A ）
该
RESET
引脚提供复位的硬件方法
该设备读取阵列的数据。当该系统的驱动器
该
RESET
脚低，至少在t时期的
RP
时，设备
立即终止正在进行的任何操作，三态
所有数据输出引脚，并忽略所有的读/写的企图
的持续时间
RESET
脉搏。该器件还重置
内部状态机读取阵列的数据。该
被中断应当立即被重新启动的操作
该设备已准备好接受另一个命令序列，
以确保数据的完整性。
该
RESET
引脚可以连接到系统复位电路。
系统复位会也因此而复位闪存，
使系统能够读取来自该引导固件
FL灰的记忆。
请参考交流电气特性表
RESET
参数和图表。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统可
通过读取状态位检查操作的状态
在I / O
7
- I / O
0
。标准的读周期时序和我
CC
读
规格适用。请参阅"Write操作Status"的
更多信息，以及每个AC特性部分
时序图。
（ 2004年12月， 1.3版）
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