A29L040系列
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据，系统必须驱动
该
CE
和
OE
引脚V
IL
.
CE
是功率控制和
选择该设备。
OE
是输出控制和门阵列
数据到输出引脚。
WE
应保持在V
IH
每时每刻
在读出操作。内部状态机设置为
在器件上电时读取阵列数据，或之后
硬件复位。这确保了没有寄生的改变
电源转换期间发生的存储器的内容。没有
命令是必要的，该模式以获得阵列的数据。
标准的微处理器读周期的断言有效
器件地址输入地址产生有效的数据
上的设备的数据输出。该设备仍然启用
读访问，直到该命令寄存器的内容被改变。
见"Reading阵列Data"以获取更多信息。参阅
AC读操作表，时序规范和对
读操作时序图的时序波形，
l
CC1
在DC特性表代表活动
目前规范阵列读取数据。
＆ QUOT ;自选模式＆ QUOT ;和＆ QUOT ;自选命令序列QUOT ;
部分以获取更多信息。
I
CC2
在特性表代表了目前活跃
规格为写入模式。该"AC Characteristics"
部分包含时序规格表和计时
图写操作。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统可
通过读取状态位检查操作的状态
在I / O
7
- I / O
0
。标准的读周期时序和我
CC
读
规格适用。请参阅"Write操作Status"的
更多信息，并为每个AC特性部分
时序图。
待机模式
当系统没有读取或写入设备，它
可将设备置于待机模式。在这种模式下，
电流消耗被大大减小，并且输出
置于高阻抗状态，独立的
OE
输入。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE
引脚保持在V
CC
±
0.3V 。 （注意，这是一个更受限制
电压范围比V
IH
）。该器件进入待机TTL
模式时，
CE
被保持在V
IH
。设备需要的
标准访问时间（t
CE
）它准备读出的数据之前。
如果设备被擦除或编程的过程中取消选择，
该器件消耗的有功电流，直到操作
完成。
I
CC3
在DC特性表代表了备用
目前的规范。
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（包括
数据编程到设备和擦除扇区
存储器），系统必须驱动
WE
和
CE
到V
IL
和
OE
到V
IH
。擦除操作可以擦除一个扇区，
多个部门或整个设备。扇区地址
表格显示每个扇区占用的地址范围。
一个"sector address"包括所需的地址输入
唯一选择一个部门。看到"Command Definitions"
对于细节部分的擦除扇区或整个芯片，或
暂停/恢复擦除操作。
在系统中写入自动选择命令序列，
器件进入自动选择模式。该系统可以再
读取内部寄存器自动选择码（这是
从存储阵列）上的我分开/ O
7
- I / O
0
。标准
读周期时序适用于这种模式。参阅
输出禁止模式
当
OE
输入是在V
IH
从设备输出是
禁用。输出引脚被放置在高阻抗
状态。
表2扇区地址表
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
A18
0
0
0
0
1
1
1
1
A17
0
0
1
1
0
0
1
1
A16
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000H - 地址0FFFFh
10000H - 1FFFFH
20000H - 2FFFFh
30000H - 3FFFFH
40000H - 4FFFFh
50000H - 5FFFFh
60000H - 6FFFFh
70000h - 7FFFFH
注：所有行业都是64字节大小。
（ 2011年9月， 1.6版）
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AMIC技术股份有限公司
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