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A43E1616G-95I 参数 Datasheet PDF下载

A43E1616G-95I图片预览
型号: A43E1616G-95I
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内容描述: 1M ×16位×4银行同步DRAM [1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 42 页 / 502 K
品牌: AMICC [ AMIC TECHNOLOGY ]
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A43L2616B
1M ×16位×4银行同步DRAM
特征
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行/脉冲
RAS
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟( 2,3 )
- 突发长度( 1,2,4,8 &整版)
-
突发类型(顺序&交错)
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
时钟频率: 166MHz的@ CL = 3
143MHz下@ CL = 3
突发读取单位写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期( 4K周期)
商业温度操作: 0
°
C~70
°
C
工业温度操作: -40
°
C~85
°
下-U
GRADE
可提供54引脚TSOP ( II )包
包可用于无铅( -F系列)
所有无铅(无铅)产品均符合RoHS标准
概述
该A43L2616B为67,108,864位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 1,048,576字经
16位,制造与AMIC的高性能CMOS
技术。同步设计允许精确周期
控制与利用系统时钟。
I / O事务处理可在每个时钟周期。范围
的工作频率,可编程延迟允许
相同的设备,以对各种高有用
带宽,
性能
内存
系统
应用程序。
引脚配置
TSOP (II)的
VDDQ
VSSQ
DQ
15
DQ
12
DQ
14
DQ
13
DQ
11
DQ
10
UDQM
VDDQ
VSSQ
CKE
VSS
VSS
DQ
8
54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28
A43L2616BV
1
VDD
2
DQ
0
3
VDDQ
4
DQ
1
5
DQ
2
6
VSSQ
7
DQ
3
8
DQ
4
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27
VSSQ
A10/AP
VDDQ
VDD
LDQM
VDD
CS
BA0
BA1
A0
A1
WE
CAS
RAS
DQ
5
DQ
6
DQ
7
A2
A3
( 2009年12月, 1.3版)
1
AMIC技术股份有限公司
VSS
DQ
9
NC
CK
A11
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4