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    A43E4616V-95I 参数 Datasheet PDF下载

    A43E4616V-95I图片预览
    型号： A43E4616V-95I
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1M ×16位×4银行同步DRAM [1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 42 页 / 502 K
    品牌： AMICC [ AMIC TECHNOLOGY ]
     浏览型号A43E4616V-95I的Datasheet PDF文件第9页浏览型号A43E4616V-95I的Datasheet PDF文件第10页浏览型号A43E4616V-95I的Datasheet PDF文件第11页浏览型号A43E4616V-95I的Datasheet PDF文件第12页浏览型号A43E4616V-95I的Datasheet PDF文件第14页浏览型号A43E4616V-95I的Datasheet PDF文件第15页浏览型号A43E4616V-95I的Datasheet PDF文件第16页浏览型号A43E4616V-95I的Datasheet PDF文件第17页  
    A43L2616B
    设备操作（续）
    银行激活
    突发写
    该行激活命令被用来选择一个随机
    排在空闲的银行。通过置低
    RAS和
    CS
    具有期望的行和存储体地址，行存取是
    发起。经过一段时间的读或写操作，则会发生
    吨的延迟
    RCD
    （分钟）从库激活的时间。
    t
    RCD
    （分钟）是SDRAM的内部定时参数，
    因此，它是依赖于工作时钟频率。该
    银行间所需的时钟周期的最小数目
    激活和读或写命令，应计算
    除以吨
    RCD
    （分钟）与时钟周期的时间，然后
    四舍五入的结果到下一个较大整数。该
    SDRAM具有两个内部银行在同一芯片上，并
    股部的内部电路以减小芯片面积，
    因此，限制两岸的激活
    马上。在感测的同时所产生的噪声
    SDRAM的每家银行的要求高一些的时间
    电源恢复之前，其他银行可以
    可靠的检测。吨
    RRD
    （分钟）指定的最小时间
    激活不同银行之间需要。数
    需要在不同的银行之间的激活时钟周期
    必须计算相似吨
    RCD
    规范。该
    所需的银行最小时间被激活以启动
    感测和恢复动态单元的完全排
    被T确定
    RAS
    （ min）的预充电前规范
    命令是有效的银行可以断言。该
    最大时间的任何银行可以在活动状态为
    被T确定
    RAS
    （最大值）。周期为两个数
    t
    RAS
    （MIN）和叔
    RAS
    （最大值） ，可以计算类似吨
    RCD
    特定连接的阳离子。
    突发读
    突发写入命令类似突发读取
    命令，用于将数据写入到SDRAM
    根据相邻地址连续的时钟周期
    对突发长度和突发序列。通过置低
    CS
    ,
    CAS
    和
    WE
    用有效的列地址，写
    突发被启动。设置为初始数据输入
    在相同的时钟周期为猝发写地址
    命令。输入缓冲区，在取消的结束
    脉冲串长度，即使内部写入可能不具有
    尚未完成。文字无法完成到爆
    长度。突发写入可以通过发出一阵被终止
    阅读和DQM阻止数据输入或突发写的
    相同或其他有效的银行。突发停止命令是
    只适用于整页的突发长度，其中的写入
    继续到脉冲串的端部和所述脉冲串是环绕。
    写入脉冲串，也可以通过使用DQM用于终止
    数据拦截和预充电银行“T
    RDL
    “在最后
    数据输入到被写入主动行。见DQM
    操作也。
    DQM操作
    猝发读命令用于访问数据突发
    在从活动行连续的时钟周期中的活性
    银行。被认定的低颁发的突发读取命令
    on
    CS
    和
    CAS
    同
    WE
    正在上高正
    在时钟的边缘。银行必须至少激活
    t
    RCD
    突发读取命令之前（分钟）发出。该
    第一输出出现时钟周期的CAS延迟数
    爆后的问题，读命令。脉冲串长度，
    从突发读命令脉冲串序列和延迟
    由模式寄存器，它是已经确定的
    编程。突发读取可以在任何启动
    有源行的列地址。地址包裹
    周围如果初始地址不会从边界开始
    使得一些从每个I / O输出等于
    脉冲串长度中的模式寄存器进行编程。输出
    进入高阻抗在脉冲串的末端，除非
    新的突发读取发起，以保持数据输出
    无间隙。突发读取可以通过发出终止
    又是一阵读或写突发在同一银行或
    其他活跃的银行或预充电命令相同
    银行。突发停止命令是在每一页的突发有效
    长度。
    DQM的用于屏蔽的输入和输出操作。它
    工作原理类似于
    OE
    读操作并抑制在
    写操作过程中写入。所读取的等待时间是2
    从DQM周期和零周期为写入，这意味着
    两个周期后，在读周期DQM的掩蔽发生和
    在写周期中发生的同一个周期。 DQM
    操作是同步的时钟，因此在
    掩蔽产生一个完整的周期。该DQM信号
    在写突发中断重要的有读或
    预充电在SDRAM中。由于异步性质
    内部写的DQM操作是至关重要的，以避免
    不需要的或不完整的写操作时完全破灭
    不是必需的写操作。
    预充电
    上一个活跃的银行所执行的预充电操作
    声称低
    CS
    ,
    RAS
    ,
    WE
    和A10 / AP使用有效
    将预充电银行的学士学位。预充电命令
    可以吨后，可随时主张
    RAS
    （分钟）为满足
    在所需的银行，银行激活命令。 “T
    RP
    “是
    定义为预充电银行需要的最短时间。
    需要完成的时钟周期的最小数目
    行预充电是通过将“T计算
    RP
    “时钟
    周期时间和上舍入到下一个较高的整数。关怀
    应注意确保突发写入完毕
    或DQM用于预充电前，防止写入
    命令是断言。最大时间任何银行可以
    积极为t指定
    RAS
    （最大值）。因此，每家银行都有
    将T内预充
    RAS
    （最大值）从银行激活
    命令。在预充电结束时，该行进入
    空闲状态，并准备再次被激活。
    进入关机，自动刷新，自刷新和模式
    寄存器设置等，可能只有当银行在
    空闲状态。
    （ 2009年12月， 1.3版）
    12
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