A43L2616B
1M ×16位×4银行同步DRAM
特征
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行/脉冲
RAS
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟( 2,3 )
- 突发长度( 1,2,4,8 &整版)
-
突发类型(顺序&交错)
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
时钟频率: 166MHz的@ CL = 3
143MHz下@ CL = 3
突发读取单位写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期( 4K周期)
商业温度操作: 0
°
C~70
°
C
工业温度操作: -40
°
C~85
°
下-U
GRADE
可提供54引脚TSOP ( II )包
包可用于无铅( -F系列)
所有无铅(无铅)产品均符合RoHS标准
概述
该A43L2616B为67,108,864位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 1,048,576字经
16位,制造与AMIC的高性能CMOS
技术。同步设计允许精确周期
控制与利用系统时钟。
I / O事务处理可在每个时钟周期。范围
的工作频率,可编程延迟允许
相同的设备,以对各种高有用
带宽,
高
性能
内存
系统
应用程序。
引脚配置
TSOP (II)的
VDDQ
VSSQ
DQ
15
DQ
12
DQ
14
DQ
13
DQ
11
DQ
10
UDQM
VDDQ
VSSQ
CKE
VSS
VSS
DQ
8
54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28
A43L2616BV
1
VDD
2
DQ
0
3
VDDQ
4
DQ
1
5
DQ
2
6
VSSQ
7
DQ
3
8
DQ
4
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27
VSSQ
A10/AP
VDDQ
VDD
LDQM
VDD
CS
BA0
BA1
A0
A1
WE
CAS
RAS
DQ
5
DQ
6
DQ
7
A2
A3
( 2009年12月, 1.3版)
1
AMIC技术股份有限公司
VSS
DQ
9
NC
CK
A11
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4