A43L2616B
简化的真值表
命令
CKEN - 1 CKEN
CS
RAS
CAS
WE
DQM BA0 A10 A9 〜 A0 ，注意事项
BA1 / AP
A11
注册
刷新
模式寄存器设置
自动刷新
自
刷新
条目
出口
H
H
L
H
H
H
H
X
H
L
H
X
X
X
X
X
L
H
L
H
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
H
X
L
H
L
H
L
H
L
L
H
X
L
H
H
H
L
H
X
X
H
X
V
X
X
H
X
L
L
H
X
H
L
L
H
H
H
X
X
H
X
V
X
H
X
L
H
H
X
H
H
L
L
L
H
X
X
H
X
V
X
H
X
X
X
X
X
X
X
X
V
V
V
V
操作码
X
X
行地址。
L
H
L
H
X
L
H
X
X
COLUMN
地址。
COLUMN
地址。
1,2
3
3
3
3
4
4
4,5
4
4,5
银行主动&行地址。
阅读&
自动预充电禁用
列地址。自动预充电启动
写&
自动预充电禁用
列地址。自动预充电启动
突发停止
预充电
银行的选择
两家银行
时钟暂停或
主动关机
条目
出口
条目
预充电掉电模式
出口
DQM
没有操作命令
H
H
L
H
L
H
H
X
X
X
X
X
X
X
V
X
X
X
6
X
（V =有效， X =无所谓，H =逻辑高电平， L =逻辑低）
注意：
1. OP代码：操作数代码
A0 〜 A11 ， BA0 ， BA1 ：程序键。 （ @MRS ）
只能在两家银行预充电状态下发出2.黄。
一个新的命令后，刘健的2个时钟周期发出。
3.自动刷新功能相同的DRAM CBR刷新。
无行预充电命令预充电自然而然由“自动”的意思。
只能在两个预充电状态下发出的自动/自刷新。
4. BA0 ， BA1 ：银行选择地址。
如果同时BA1和BA0在读“低” ，写，行积极和预充电，银行A被选中。
如果两个BA1为“低”和BA0为“高” ，在读，写，行积极和预充电，选择B银行。
如果两个BA1为“高”和BA0为“低” ，在读，写，行积极和预充电， C银行被选中。
如果同时BA1和BA0为“高” ，在读，写，行积极和预充电，银行D被选中。
如果A10 / AP是“高”的行预充电， BA1和BA0被忽略，所有的银行都被选中。
5.在突发读取或者自动预充电，不能发出新的读写命令写。
可以在每一个突发长度发出另一家银行的读写命令。
6. DQM采样的一个CLK的掩模的数据中在非常CLK的正边沿（写入DQM延迟是0 ），但
面具后的2 CLK周期的数据输出高阻状态。 （读DQM延迟2 ）
（ 2009年12月， 1.3版）
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