A61L6316系列
64K ×16位高速CMOS SRAM
特点
n
中心电源引出线
n
电源电压： -10 ： 3.3V + 10 ％， - 5 ％
-12, -15: 3.3V±10%
n
访问时间： 15年10月12日NS （最大）
n
当前：工作： -10 ： 230毫安（最大值）
-12 ： 220毫安（最大）
-15： 210毫安（最大）
待机： TTL ： 25毫安（最大）
CMOS ： 12毫安（最大）
n
工作温度范围： -25°C至85°C
为-I系列
n
全静态操作，无时钟或刷新要求
n
所有输入和输出直接TTL兼容
n
采用三态输出通用I / O
n
数据保持电压： 2V （分钟）
n
采用44引脚400mil SOJ和44引脚400mil
TSOP （ II ）转发包。
概述
该A61L6316是一种高速1048576位静态
16组织为65,536字随机存取存储器
位和操作从3.0V低电源电压
到3.6V 。它采用AMIC的高性能CMOS建
流程。
输入和三态输出为TTL兼容，
允许直接连接常见的系统总线
结构。
该芯片使能输入提供了掉电，以
禁用该设备。两个字节使能输入和一个输出
使能输入都包含了简单的接口。
数据保存期限保证在电源电压为
低至2V 。
产品系列
产品
家庭
A61L6316
操作
温度
0°C ~ +70°C
-25°C ~ +85°C
VCC范围
功耗
速度
15年10月12日NS
数据保留
(I
CCDR
， TYP 。 ）
3mA
待机
(I
SB1
， TYP 。 ）
5mA
包
TYPE
44L SOP
44L的TSOP （II）的
3.0V ~ 3.6V
1.典型值是在VCC = 3.3V ，T测
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
2.数据保持电流VCC = 2.0V 。
引脚配置
n
SOJ / TSOP （II）的
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
VCC
GND
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A5
A6
A7
A8
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A15
A14
A13
OE
HB
LB
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
GND
VCC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A12
A11
A10
A9
NC
A61L6316S(V)
1
（ 2002年7月， 1.1版）
AMIC Technology，Inc.的
AMICC [ AMIC TECHNOLOGY ]
