A82DL16x2T （ U）系列
设备总线操作
本节介绍的要求和使用
设备总线操作，这是通过启动
内部命令寄存器。命令寄存器本身并
不占用任何可寻址的内存位置。该寄存器是
存储的命令，连同锁存器组成
以执行所需要的地址和数据信息
命令。该寄存器的内容作为输入到
内部状态机。状态机输出决定了
功能的设备的。相应的设备总线操作
表列出了输入和所需的控制水平，以及
输出结果。以下小节介绍各
这些操作中的进一步的细节。
表1-1 。设备总线操作 - 闪存字节模式（
BYTE_F
手术
（注1,2 ）
= V
IH
)
WP
/ ACC
（注4 ）
CE_F
C
E1_S
H
CE2_S
X
OE
L
WE
H
A0-
A19
A
IN
LB_S
UB_S
RESET
（注3 ） （注3 ）
I / O
7
–
I / O
0
I
OUT
I / O
15
–
I / O
0
I
OUT
从Flash中读取
L
X
H
L
X
X
X
H
L / H
写FLASH
L
X
L
X
H
X
L
H
H
L
A
IN
X
X
H
（注4 ）
I
IN
I
IN
待机
VCC =
0.3 V
X
L
X
X
X
L
X
X
VCC =
0.3 V
H
高-Z
高-Z
输出禁用
L
H
X
L
X
L
H
H
X
X
L
H
L / H
高-Z
高-Z
闪存硬件
RESET
X
X
H
X
X
X
X
X
L
L / H
高-Z
高-Z
部门保护
（注）
X
L
H
H
X
L
SA ，
A6 = L时，
A 1 = H，
A0 = L
SA ，
A6 = H，
A 1 = H，
A0 = L
X
X
V
ID
L / H
I
IN
X
部门撤消
（注5 ）
L
X
L
H
L
X
X
V
ID
（注6 ）
I
IN
X
临时
部门撤消
H
X
X
X
X
L
H
L
H
L
L
H
L
H
X
H
X
X
A
IN
X
X
V
ID
（注6 ）
I
IN
I
OUT
高-Z
I
OUT
I
IN
高-Z
I
IN
高-Z
I
OUT
I
OUT
高-Z
I
IN
I
IN
高-Z
从阅读
SRAM
H
L
H
L
H
A
IN
L
L
H
写入SRAM
H
L
H
X
L
A
IN
注： L =逻辑低= V
IL
，H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
= 8.5–12.5 V, V
HH
= 9.0 ± 0.5 V ， X =无所谓， SA =扇区地址，
A
IN
=地址，我
IN
=数据中，我
OUT
=数据输出
注意事项：
除了那些在此列表示1.Other操作被禁止。
2.Do不适用
CE_F
= V
IL
,
CE1_S
= V
IL
和CE2_S = V
IH
同时。
3.Don't护理或开放
LB_S
or
UB_S
.
4.扇区保护和扇区解除保护功能也可以通过编程设备来实现。见
“部门/部门块保护和unprotection的”一节。
5.如果
WP
/ ACC = V
IL
，最外边的两个引导区受到保护。如果
WP
/ ACC = V
IH
，两个最外侧的引导扇区
保护取决于他们是否正在使用中的“部门/部门块描述的方法最后的保护或不受保护
保护和unprotection的“ 。如果
WP
/ ACC = V
HH
，所有部门将不受保护。
初步
（ 2005年5月，版本0.1 ）
8
AMIC技术股份有限公司
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