A82DL16x2T ( U)系列
概述
该A82DL16x2T ( U)系列包括16兆, 3.0电压
只有快闪存储器装置,内部组织为1,048,576字
每个16位或2,097,152字节,每字节8位。字模式
数据出现在I / O
0
-I / O
15
;字节模式的数据出现在I / O
0
–
I / O
7
。本设备被设计在系统被编程
与标准的3.0伏的VCC电源,并且也可以是
在标准EPROM编程器编程。
该器件具有70ns的存取时间。该
设备在69球精细间距BGA提供。标准
控制引脚芯片使能(
CE_F
) ,写使能(
WE
) ,以及
输出使能(
OE
) - 控制正常读写
操作,避免总线争用问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
为
读取和写入功能。内部生成的,
提供了用于将程序和擦除稳压电压
操作。
A82DL16x2T (U )特性
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC
单电源闪存命令集的标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。读出数据的
该装置类似于其它的Flash或EPROM读
设备。
主机系统可以检测是否编程或擦除
操作完成时通过使用设备
状态位:
RY /
BY
引脚, I / O
7
(
数据
轮询)和I / O
6
/ I / O
2
(触发位) 。
后一个程序或擦除周期已经完成,该
设备会自动返回到阅读阵列的数据。
该
扇区擦除架构
允许存储扇区是
擦除和重新编程,而不影响数据
其他部门的内容。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低VCC
探测器可以自动抑制在写操作
电源转换。该
硬件部门保护
特征
禁用这两个程序在任何擦除操作
组合的内存部门。这可以实现
在-S Ÿ S T ê米或通过编程设备。
该器件提供两种省电功能。当
地址已稳定的时间一个特定的编量
该器件进入
自动休眠模式。
该系统
还可以将设备插入
待机模式。
动力
消耗在这两种模式下大大降低。
同时读/写操作零
潜伏期
同时读/写架构提供
同时操作
通过将存储器空间划分为
两家银行。该装置可提高整个系统的
通过允许主机系统编程或擦除性能
在一家银行,然后立即同时读取
其他银行,零延迟。这将释放系统
从等待完成编程或擦除
操作。
该A82DL16x2T ( U)设备使用多个银行架构设计师用手工
tectures以针对不同的应用提供了灵活性。三
设备可与这些银行的规模:
设备
DL1622
DL1632
DL1642
银行1
2 MB
4兆
8兆
2银行
14 MB
12 MB
8兆
初步
( 2005年5月,版本0.1 )
2
AMIC技术股份有限公司