AMIS - 720233 -B ：
接触式图像传感器
4.0光电特性（ 25
°
C)
数据表
这些值是在25个测量的AMIS- 720233 - B拍摄传感器芯片中的电 - 光特性列在表2中。
°
C.
表2 ：光电特性
参数
的图片元素数
像素到像素的间距
行扫描速率
时钟频率
输出电压
输出电压的非均匀性
暗输出电压
暗输出的非均匀性
相邻的像素的非均匀性
芯片到芯片的非均匀性
注意事项：
1.
2.
3.
符号
色彩
(2)
FCLK
(1)
典型
64
125
864
2.0
1.0
±
7.5
<20
<10
<7.5
±
7.5
单位
分子
µm
微秒/线
兆赫
V
%
mV
mV
%
%
笔记
Vpavg
(4)
Up
(5)
Vd
(6)
Ud
(7)
Upadj
(8)
UCC
(3)
见注2更高的时钟速度。
（最大为5MHz ）
–2
2
EXP = 1.8 ×10 μJ /厘米
注5 & 3
注6 & 3
4.
5.
6.
7.
8.
9.
色调表示的线扫描速度或积分时间。它是由两个SP之间的时间间隔来确定。
是fclk手段的输入时钟频率。对于Fclk用于>的2.0MHz见注3和第5节。
Vpavg =
ΣVp （ N） / Npixels
（在一个线扫描的平均电平）。
其中VP （n）是n的振幅
th
像素中的传感器芯片和Npixels是在传感器芯片上的像素的总数。 Vpavg从冲击电流的视频转换
像素转换成电压输出（参见图4和
5
).
精通=唱片X色调，其中LP是光功率（黄 - 绿）和色调是上面定义的（参见图6） 。
向上是均匀性规范，在一个统一的揭露曝光测量。 UP = [ VP（最大） - Vpavg ] / Vpavg ×100 ％或[ Vpavg - VP（分） ] / Vpavg } X
100 ％ ，以较高者为准。
其中VP（ max）为最高的像素输出电压中的光。
的vp （分钟）为最小的像素输出电压中的光。
VD =
ΣVp （ N） / Npixels 。
其中VP（ n）是n的像素的信号幅度
th
像素传感器。暗是其中传感器被放置在黑暗的环境中。
UD = Vdmax - Vdmin 。暗是相同的定义如上。
Upadj = MAX [| （VP （n）的 - VP （正+ 1） | / VP （正） ）×100 ％。 Upadj是不均匀的百分比。它是两个相邻像素之间的幅度差。
UCC是均匀的规格，在晶片上的良好模之间进行测量。在均匀光照传感器进行测量，并与计算
下面的算法：在晶片上的所有好的模具Vpavg被平均化，并分配VGpavg 。然后用最大Vpavg模具被分配Vpavg （最大值） ，
和所述一个以最小Vpavg分配Vpavg （分钟）。然后UCC = {[ Vpavg （最大值） -Vpavg （分） ] / VGpavg } ×100 。
AMI半导体公司
-MAY 06 ， M- 20567-001
www.amis.com
4
AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
