AMI半导体公司
ULP存储器解决方案
670北麦卡锡大道。 220套房
加利福尼亚州米尔皮塔斯95035
电话： 408-935-7777 ，传真： 408-935-7770
N04L1630C2B
超前信息
4Mb的超低功耗异步SRAM的CMOS
256K × 16位POWER SAVER技术
TM
概观
该N04L1630C2B是一个集成的内存
含有4兆位静态随机存取装置
内存16位组织为262,144字。
本设备被设计和使用的AMI制作
安森美半导体先进的CMOS技术
同时提供的高速性能和超低
力。该器件采用双芯片使能
（ CE1和CE2 ）控制和输出使能（ OE ）来
使其易于扩展内存。控制字节
（ UB和LB ）允许上部和下部字节是
独立地访问，并也可用于
取消选择该设备。该N04L1630C2B是
为实现低功耗进行了优化，并
适用于各种应用，其中的超低
功率是临界的，例如医疗应用，
备用电池和电源敏感的手持式
设备。独特的页面模式运行可节省
工作功率，同时提高性能
通过标准的SRAM 。该装置可进行操作
在-40一个很宽的温度范围
o
C到
+85
o
C和在JEDEC标准可用
包装与其它标准256Kb的X兼容
16的SRAM 。
特点
•宽电源电压范围
2.7到3.6伏
- 极低的待机电流
为1uA （典型值）
•极低的工作电流
在1μs的2.0毫安（典型值）
•非常低的页面模式工作电流
在1μs的0.8毫安（典型值）
•简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
•非常快的输出使能存取时间
OE为30ns存取时间
55ns随机存取时间
30ns的页面模式存取时间
•自动关机进入待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
•符合RoHS TSOP和BGA封装
产品系列
产品型号
N04L1630C2BB2
套餐类型
48 -BGA绿
操作
温度
-40
o
C至+ 85
o
C
动力
电源（VCC ）
2.7V - 3.6V
速度
选项
55ns
70ns
待机
操作
电流（I
SB
） ，电流（ Icc的） ，
典型
典型
1µA
2毫安@ 1MHz的
N04L1630C2BT2 44 - TSOP II绿
（ DOC ＃ 14-02-042怜我ECN ＃ 01-1374
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.amis.com 。
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AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
