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N08M1618L1AB 参数 Datasheet PDF下载

N08M1618L1AB图片预览
型号: N08M1618L1AB
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内容描述: 8MB超低功耗异步医疗CMOS SRAM 512K 】 16位 [8Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 512K 】 16 bit]
分类和应用: 医疗静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 196 K
品牌: AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
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AMI半导体公司
ULP存储器解决方案
670北麦卡锡大道。 220套房
加利福尼亚州米尔皮塔斯95035
电话: 408-935-7777 ,传真: 408-935-7770
N08M1618L1A
超前信息
8MB超低功耗异步医疗CMOS SRAM
512K × 16位
概观
该N08M1618L1A是一个集成的内存
设备
用于非生命支持医疗
应用程序。
这个装置是一个8兆内存
16位组织为524,288字。该装置
设计和制作使用AMI
安森美半导体先进的CMOS技术
可靠性inhancements医疗用户。该
器件具有两个芯片使能操作( CE1和
CE2 )控制和输出使能(OE ) ,以允许
简单的内存扩展。字节控制( UB和
LB)允许上部和下部字节是
独立地访问,并也可用于
取消选择该设备。这个装置是最适合
各种应用中的低功耗是关键
如备用电池和手持设备。
该设备可以在非常宽的操作
温度范围-40
o
C至+ 85
o
C和是
在提供JEDEC标准的BGA封装。
特点
•双电压为获得最佳性能:
VCCQ - 2.3至3.6伏特
VCC - 1.4至2.2伏特
- 极低的待机电流
0.5μA ,在1.8V和37摄氏度
•极低的工作电流
在1.8V和1μs的1.0毫安(典型值)
•非常低的页面模式工作电流
在1.8V和1μs的0.5毫安(典型值)
•简单的存储控制
双芯片使( CE1和CE2 )
字节控制独立字节操作
输出使能( OE )的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.2V
•特殊处理,以降低软错误率
( SER )
•自动关机进入待机模式
产品系列
产品型号
套餐类型
操作
温度
动力
供应
速度
待机
操作
电流(I
SB
) ,电流( Icc的) ,
最大
最大
N08M1618L1AB
48 - BGA
2.3V-3.6V(V
CCQ
) 85ns @ 1.7V
-40
o
C至+ 85
o
Ç 1.4V - 2.2V ( V)为150ns @ 1.4V
CC
20
µA
2.5毫安@
1MHz
N08M1618L1AW
晶圆
引脚配置
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
V
SS
引脚说明
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
2
OE
UB
I / O
10
I / O
11
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
引脚名称
A
0
-A
18
WE
CE1 , CE2
OE
LB
UB
I / O
0
-I / O
15
V
CC
V
SS
V
CCQ
NC
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
低字节使能输入
高字节使能输入
数据输入/输出
动力
只有电源I / O引脚
没有连接
V
CCQ
I / O
12
I / O
14
I / O
13
I / O
15
A
18
NC
A
8
48引脚BGA (上)
8 ×10mm的
库存号23211-03 06年9月21日
超前信息
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.amis.com 。
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